发光二极管制造技术

本技术提供了一种发光二极管，包括衬底、键合层、反射结构层、外延层、导热反射结构、第一电极和第二电极，其中键合层位于衬底上，反射结构层位于键合层上；外延层位于反射结构层上，且外延层包括由下至上依次堆叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层，导热反射结构至少贯穿第二半导体层和发光层；第一电极位于衬底远离键合层的表面，第二电极位于外延层上，导热反射结构在衬底上的投影围绕第二电极在衬底上的投影，且导热反射结构与第二电极在衬底上的投影之间具有第一间隙。本技术能够达到散热的效果，并提高发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，尤其涉及一种发光二极管。

技术介绍

1、发光效率以及使用寿命是发光二极管(led，light emitting diode)的两个重要性指标。影响发光二极管的使用寿命的其中一个重要因素是发光二极管的散热问题，如果散热不佳会大幅度缩短发光二极管的使用寿命；而影响发光二极管的发光效率的一个重要因素是很大一部分发光层发射的光被衬底和电极等材料吸收，从而影响出光，大大降低光的提取效率。为了改善发光效率，目前利用全方位反射镜(odr，omni-directionalreflector)将发光层射向衬底的光反射出去，全方位反射镜由低折射率的介质层和反射镜层构成，介质层通过光刻工艺制作出导电通孔，反射镜层通过导电通孔同外延层形成电学接触，然而仍存在散热问题和发光效率问题。

技术实现思路

1、本技术的目的在于提供一种发光二极管，达到散热的效果，并提高发光二极管的发光效率。

2、为了达到上述目的，本技术提供了一种发光二极管，包括：

3、衬底；

4、键合层，位于所述衬底上；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构还贯穿所述第一半导体层。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构包括导热通孔、导热介质层和导热金属反射层，所述导热通孔贯穿所述第二半导体层和所述发光层或者贯穿所述外延层，所述导热介质层覆盖所述导热通孔的侧壁和底部，所述导热金属反射层填充所述导热通孔。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层和所述导热金属反射层的顶部与所述外延层远离所述衬底的表面齐平或不齐平。

5.如权利要求3所述的发光二极管...

【技术特征摘要】

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构还贯穿所述第一半导体层。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，所述导热反射结构包括导热通孔、导热介质层和导热金属反射层，所述导热通孔贯穿所述第二半导体层和所述发光层或者贯穿所述外延层，所述导热介质层覆盖所述导热通孔的侧壁和底部，所述导热金属反射层填充所述导热通孔。

4.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层和所述导热金属反射层的顶部与所述外延层远离所述衬底的表面齐平或不齐平。

5.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层为sio2层、sinx层中的至少一层，所述导热金属反射层为ag层、al层、au层中的至少一层。

6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热通孔的横截面为扇环、圆形、扇形、多边形中的至少一种。

7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述导热通孔的横截面为扇环时，所述扇环的内径为25μm～50μm，所述扇环的外径为26μm～75μm。

8.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述导热介质层的厚度为100nm～1000nm。

9.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第一间隙为2μm～30μm。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一半导体层包括第一欧姆接触层和第一限制层，所述第二半导体层包括第二限制层和第二欧姆接触层，使得所述外延层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：甘鸿彬，龚彧亨，
申请(专利权)人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：