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一种抗热震增缝匣钵制造技术

技术编号:4116779 阅读:161 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种抗热震增缝匣钵,包括匣底和匣墙,所述匣底上至少设有1条垂直贯穿的第一膨胀缝,所述第一膨胀缝两端的匣墙上均设有1条第二膨胀缝,所述第二膨胀缝水平设在匣墙的底部中央。能够有效地减少受到的应力,提高抗热抗震效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于烧成电子元件的一种抗热震增缝匣钵
技术介绍
在电子
中,电子元件需要在窑炉中进行高温烧结,烧结时将电子元件放 在匣钵中,然后放入窑炉进行烧结处理。参考专利CN201297855,在用整体结构匣钵没有膨 胀缝,由于匣钵结构复杂,匣钵制造中产生的应力和使用中出现的热应力很大,无法消除, 逐渐形成裂纹,造成匣钵损坏。也有在匣钵的匣底和匣墙上设置膨胀缝的,但是如果遇到的 匣钵的匣墙比较高,同样的设置起到的抗热震效果比较差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种抗热震增缝匣钵,能够有效地减少受到 的应力,提高抗热抗震效果。 为解决上述现有的技术问题,本专利技术采用如下方案一种抗热震增缝匣钵,包括匣 底和匣墙,所述匣底上至少设有1条垂直贯穿的第一膨胀缝,所述第一膨胀缝两端的匣墙 上均设有1条第二膨胀缝,所述第二膨胀缝水平设在匣墙的底部中央。 作为优选,所述第一膨胀缝采用1条,设在匣底的中央。可以根据匣钵的大小适当 调整第一膨胀缝的数目。 作为优选,所述第二膨胀缝的长度为匣墙的长度的1/3 3/5。 作为优选,所述第一膨胀缝与第二膨胀缝的宽度为0. 5 3mm。可以根据匣钵的大小、结构做适当的调整。 作为优选,所述第一膨胀缝与第二膨胀缝为一体成型结构。可以在匣钵成型中一次成型,也可以再匣钵制成后一体切割。 有益效果 本专利技术采用上述技术方案提供一种抗热震增缝匣钵,能够有效地减少受到的应力,提高抗热抗震效果。 说明书附图 附图说明图1为本专利技术的结构示意图; 图2为本专利技术主视图的剖视图; 图3为本专利技术左视图的剖视图。具体实施例方式如图1至图3所示,一种抗热震增缝匣钵,包括匣底1和匣墙2,所述匣底1上至少 设有1条垂直贯穿的第一膨胀缝3,所述第一膨胀缝3两端的匣墙2上均设有1条第二膨 胀缝4,所述第二膨胀缝4水平设在匣墙2的底部中央。所述第一膨胀缝3采用1条,设在 匣底1的中央。所述第二膨胀缝4的长度为匣墙2的长度的1/3 3/5。所述第一膨胀缝3与第二膨胀缝4的宽度为0. 5 3mm。所述第一膨胀缝3与第二膨胀缝4为一体成型结 构。在匣钵的适当位置上设置膨胀缝,在制造以及使用的过程中能够有效地减少受到的应 力,提高了抗热抗震效果,使用寿命长。膨胀缝可以在匣钵成型中一次成型,也可以再匣钵 制成后一体切割,开缝方法简单,加工方便,便于实施。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抗热震增缝匣钵,包括匣底(1)和匣墙(2),其特征在于:所述匣底(1)上至少设有1条垂直贯穿的第一膨胀缝(3),所述第一膨胀缝(3)两端的匣墙(2)上均设有1条第二膨胀缝(4),所述第二膨胀缝(4)水平设在匣墙(2)的底部中央。

【技术特征摘要】
一种抗热震增缝匣钵,包括匣底(1)和匣墙(2),其特征在于所述匣底(1)上至少设有1条垂直贯穿的第一膨胀缝(3),所述第一膨胀缝(3)两端的匣墙(2)上均设有1条第二膨胀缝(4),所述第二膨胀缝(4)水平设在匣墙(2)的底部中央。2. 根据权利要求1所述的一种抗热震增缝匣钵,其特征在于所述第一膨胀缝(3)采 用l条,设在匣底(1)的中央。3. ...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯维银
申请(专利权)人:冯维银
类型:发明
国别省市:33[中国|浙江]

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