【技术实现步骤摘要】
本技术属于半导体检测设备领域,特别涉及一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪。
技术介绍
1、半导体是一种电子材料,具有介于导体和绝缘体之间的导电性能,它的导电性介于金属导体和非导电绝缘体之间,可以通过施加电场或控制温度来调节电流的流动,半导体检测仪是用于测试半导体器件性能的仪器,如果检测仪没有盖板的设计可能会导致来自外部环境的干扰和噪声对检测结果产生影响,太赫兹波段的信号非常敏感,容易受到电磁干扰的影响,而没有盖板无法提供屏蔽和隔离的作用,可能导致检测结果的误差和不稳定性,可能影响检测结果的准确性和可靠性,增加操作的复杂性和风险,降低仪器的使用便捷性和安全性,所以需要提出一种新的结构,用于解决上述技术问题。
技术实现思路
1、针对现有技术存在的不足,本技术目的是提供一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、本技术通过以下的技术方案实现:一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,包括:检测台、盖板、检测组件,所述检测台的下侧表面四个拐角处分别安装有一个支撑腿,所述
...【技术保护点】
1.一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,包括:检测台(100)、盖板(300)、检测组件(400),其特征在于,所述检测台(100)的下侧表面四个拐角处分别安装有一个支撑腿(110),所述检测台(100)的上侧表面铰接有盖板(300),所述检测台(100)的前侧表面开设有抽槽(101);
2.如权利要求1所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,其特征在于:所述检测台(100)的上侧表面后侧边缘位置胶接有盖板(300),所述盖板(300)的内部填充有铝板,所述盖板(300)的长度、宽度与检测台(100)的上侧表面的长度、宽度相同,所述盖板(300)与检测台(1
...【技术特征摘要】
1.一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,包括:检测台(100)、盖板(300)、检测组件(400),其特征在于,所述检测台(100)的下侧表面四个拐角处分别安装有一个支撑腿(110),所述检测台(100)的上侧表面铰接有盖板(300),所述检测台(100)的前侧表面开设有抽槽(101);
2.如权利要求1所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,其特征在于:所述检测台(100)的上侧表面后侧边缘位置胶接有盖板(300),所述盖板(300)的内部填充有铝板,所述盖板(300)的长度、宽度与检测台(100)的上侧表面的长度、宽度相同,所述盖板(300)与检测台(100)的抵接处设置有密封胶圈,所述盖板(300)内部的底部安装有两个太赫兹发射器(310)。
3.如权利要求2所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,其特征在于:两个所述太赫兹发射器(310)结构相同,且两个所述太赫兹发射器(310)均通过电线与电源和控制显示板(210)电性相连接,所述太赫兹发射器(310)的型号为impatt diode,所述检测台(100)的右侧表面安装有控制台(200)。
4.如权利要求3所述的一种基于太赫兹雷达的半导体检测仪,其特征在于:所述控制台(200)的前侧表面呈前低后高斜35度设计...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘冰,刘亦伟,刘洪,
申请(专利权)人:无锡星箭雷霆科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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