【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
技术介绍
1、常见的薄膜晶体管中有源层的材料一般包括非晶硅、低温多晶硅以及氧化物。氧化物晶体管由于其具有较低的漏电流和较高的迁移率，被广泛应用到显示行业晶体管器件中。
2、对于现有的氧化物晶体管，源漏极层通常直接设置在有源层上，而由于有源层中抗蚀刻层的抗蚀刻性能较差，在对源漏极层进行蚀刻工艺时，部分有源层的沟道也会被蚀刻，导致晶体管器件性能受到影响。
技术实现思路
1、本申请提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以改善现有氧化物晶体管的沟道被过蚀刻的技术问题。
2、为解决上述方案，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请提供一种阵列基板，其包括：
4、衬底和设置于所述衬底上有源层，所述有源层包括第一半导体层和设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层接触；
5、其中，所述有源层为金属氧化物半导体，所述第一半导体层为非晶体，所述第二半导体层为晶体。
6、在本申请的阵列基板中，所述第一半导体层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的导体部，所述第二半导体层包括第一蚀刻阻挡部和位于所述第一蚀刻阻挡部两侧的第二蚀刻阻挡部，所述第一蚀刻阻挡部在所述沟道部上的正投影位于所述沟道部内；
7、其中，所述第一蚀刻阻挡部的厚度小于所述第二蚀刻阻挡部的厚度。
8、在本申请的阵列基板中，所述第一半导体层和所述
9、其中，所述第一半导体层中的所述第一金属氧化物为非晶体，所述第二半导体层中的所述第一金属氧化物为晶体，以及所述第一半导体层中所述第一金属元素的含量小于所述第二半导体层中所述第一金属元素的含量。
10、在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括设置于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的第三半导体层；
11、其中，所述第三半导体层的材料和所述第二半导体层的材料相同，以及所述第三半导体层为晶体。
12、在本申请的阵列基板中，所述第三半导体层中所述第一金属元素的含量小于所述第二半导体层中所述第一金属元素的含量。
13、在本申请的阵列基板中，所述阵列基板还包括设置于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的诱导层；
14、其中，所述诱导层的材料包括所述第一金属氧化物，所述诱导层为晶体。
15、在本申请的阵列基板中，在所述第一半导体层至所述第二半导体层的方向上，所述第一金属元素的含量逐渐增加。
16、在本申请的阵列基板中，所述金属氧化物半导体的材料包括igzo、igto、ln-izo、itzo、itgzo、hizo、izo：inzno、in2o3:sn、in2o3:mo、cd2sno4、zno:al、tio2:nb、cd-sn-o中的至少一种，以及所述第一金属元素为对应的所述金属氧化物半导体中至少一种金属元素。
17、本申请还提出了一种阵列基板的制作方法，其包括：
18、在衬底上形成第一半导体材料层，所述第一半导体材料层为金属氧化物半导体，以及所述第一半导体材料层为非晶体；
19、在所述第一半导体材料层远离所述衬底的一侧形成诱导层，所述诱导层为晶体；
20、在预设条件下，所述诱导层使所述第一半导体材料层形成第一半导体层和第二半导体层，且至少部分所述诱导层融于所述第二半导体层内；
21、其中，所述第一半导体层为非晶体，所述第二半导体层为晶体。
22、本申请还提出了一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。
23、有益效果：本申请通过在衬底上设置第一半导体层和第二半导体层，且第二半导体层为晶体，利用晶体的高抗蚀刻性能，避免第一半导体层的沟道在源漏极层的蚀刻工艺中被蚀刻，保证了产品的器件性能。
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1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上有源层，所述有源层包括第一半导体层和设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层接触；
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的导体部，所述第二半导体层包括第一蚀刻阻挡部和位于所述第一蚀刻阻挡部两侧的第二蚀刻阻挡部，所述第一蚀刻阻挡部在所述沟道部上的正投影位于所述沟道部内；
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料均至少包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物包括第一金属元素；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的第三半导体层；
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三半导体层中所述第一金属元素的含量小于所述第二半导体层中所述第一金属元素的含量。
6.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述第二半导体层远
7.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一半导体层至所述第二半导体层的方向上，所述第一金属元素的含量逐渐增加。
8.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述金属氧化物半导体的材料包括IGZO、IGTO、Ln-IZO、ITZO、ITGZO、HIZO、IZO：InZnO、In2O3:Sn、In2O3:Mo、Cd2SnO4、ZnO:Al、TiO2:Nb、Cd-Sn-O中的至少一种，以及所述第一金属元素为对应的所述金属氧化物半导体中至少一种金属元素。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底和设置于所述衬底上有源层，所述有源层包括第一半导体层和设置于所述第一半导体层远离所述衬底一侧的第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层接触；
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的导体部，所述第二半导体层包括第一蚀刻阻挡部和位于所述第一蚀刻阻挡部两侧的第二蚀刻阻挡部，所述第一蚀刻阻挡部在所述沟道部上的正投影位于所述沟道部内；
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一半导体层和所述第二半导体层的材料均至少包括第一金属氧化物，所述第一金属氧化物包括第一金属元素；
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括设置于所述第二半导体层远离所述第一半导体层一侧的第三半导体层；
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第三半导体层中所述第一金属元素的含...
【专利技术属性】
技术研发人员：龙昊，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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