量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术关于一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包含依序设置的第一电极，电洞注入层，电洞传输层，量子点发光层，电子传输层以及第二电极，其中，所述量子点发光层包含主体材料与1wt％‑10wt％的热活化延迟荧光材料；制备方法包含：将电洞注入层、电洞传输层、量子点发光层以及电子传输层依序涂布于第一电极上,最后于电子传输层上设制第二电极；本发明专利技术的量子点发光二极管的量子点发光层中包含热活化延迟荧光材料，能提高量子点发光二极管的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种量子点发光二极管及其制备方法，于量子点发光层内添加热活化延迟荧光材料，以提高量子点发光二极管的发光效率。

技术介绍

1、量子点(quantum dot)为一种纳米微晶体半导体材料，不同组成与大小的量子点可被相同的激发光源激发，而放出不同波长的光线，因此量子点可应用于制备屏幕显示器，例如将光致发光量子点设置于液晶显示器(lcd)的背光模块，以得到更佳的背光利用率，又例如使用电致发光量子点制备量子点发光二极管(qled)。

2、如中国台湾tw 202032810(a)号公开案所揭露的量子点发光二极管，其结构可包含第一电极，依序安置于第一电极上的量子点发光层、电子传递层、电子分散层及第二电极；又如中国台湾tw 202044608(a)号公开案揭露的量子点发光二极管，其结构则是包含了第一电极、依序安置于该第一电极上的电洞注入层、包含zns的电洞传递层、量子点发光层及第二电极；即目前的量子点发光二极管的大致结构相似，但会于各层结构内进行改良，以提高量子点发光二极管的性能。目前量子点发光二极管的量子点发光层，使用的材料具有较大的最高占据分本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种量子点发光二极管，包含依序设置的一第一电极，一电洞注入层，一电洞传输层，一量子点发光层，一电子传输层以及一第二电极，其中，所述量子点发光层包含一主体材料与1wt％-10wt％的热活化延迟荧光材料，且所述量子点发光二极管的驱动电压介于3-4伏特，最大亮度介于20000-60000cd/m2，最大电流效率介于10-30cd/A，以及最高能量效率介于5-15lm/W。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点发光层的所述主体材料为硒化镉/硫化锌，且所述热活化延迟荧光材料为DDCzTrz。

3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其中，所述第一...

【技术特征摘要】

1.一种量子点发光二极管，包含依序设置的一第一电极，一电洞注入层，一电洞传输层，一量子点发光层，一电子传输层以及一第二电极，其中，所述量子点发光层包含一主体材料与1wt％-10wt％的热活化延迟荧光材料，且所述量子点发光二极管的驱动电压介于3-4伏特，最大亮度介于20000-60000cd/m2，最大电流效率介于10-30cd/a，以及最高能量效率介于5-15lm/w。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管，其中，所述量子点发光层的所述主体材料为硒化镉/硫化锌，且所述热活化延迟荧光材料为ddcztrz。

3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管，其中，所述第一电极包含一基板与一氧化铟锡薄膜，所述电洞注入层是以聚3,4-乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸盐制备，所述电洞传输层是以聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺制备，且所述电子传输层是以纳米氧化锌所制备。

4.如权利要求3所述的量子点发光二极管，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏炎坤，杨智强，王延皓，史安楷，
申请(专利权)人：崑山科技大学，
类型：发明
国别省市：