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本发明关于一种量子点发光二极管及其制备方法，量子点发光二极管包含依序设置的第一电极，电洞注入层，电洞传输层，量子点发光层，电子传输层以及第二电极，其中，所述量子点发光层包含主体材料与1wt％‑10wt％的热活化延迟荧光材料；制备方法包含：将...
该专利属于崑山科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过崑山科技大学授权不得商用。

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