【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体激光器叠阵的封装,具体涉及一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法。本专利技术属于战略性新型产业目录之1 新一代信息技术产业中的1.3 电子核心产业重点方向下1.3.3新型元器件 半导体激光器件。
技术介绍
1、宏通道半导体激光器叠阵是由若干个激光器单模块依次排列构成,这些激光器单模块按正负极依次顺序排列,各激光器单模块之间利用焊料焊接,每个激光器单模块又利用焊料焊接在宏通道散热器上,由于激光器单模块的体积很小,在毫米量级,所以封装过程很难操作。再加上需要在宏通道散热器上进行后续电极的焊接,并且这些电极在宏通道散热器的侧面,给封装工艺带来很大的困难。覆铜板在宏通道半导体激光器叠阵封装中有重要作用,它连接着激光器模块和外部电源,并起着和宏通道散热器绝缘的作用。由于宏通道底座是金属制成,电极没有覆铜板绝缘,就会短路,因此,电极不能直接焊接在宏通道散热器的侧面,需要焊接在覆铜板上,再通过覆铜板焊接在宏通道散热器侧面。由于宏通道散热器是由纯铜制成,并且体积大,普通的焊接方法无法将覆铜板焊接在宏通道散热器的侧面。
【技术保护点】
1.一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法,其特征在于:包括以下步骤,首先把宏通道散热器(2)放置在加热板(1)上表面,然后将表面涂上焊料的覆铜板(3)立在宏通道散热器(2)的两侧面,再利用加热柱(4)顶住覆铜板(3),使覆铜板紧靠宏通道散热器(2),加热柱(4)中间有通孔(9),打开真空泵(5),通过真空泵(5)及加热柱中间的通孔(9)吸紧覆铜板(3),打开加热板(1)和加热柱(4),实现对覆铜板进行焊接;
2.根据权利要求1所述一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法,其特征在于:调节加热柱(4)的位置,从而调节覆铜板的焊接位置。
3.根据权利要
...【技术特征摘要】
1.一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法,其特征在于:包括以下步骤,首先把宏通道散热器(2)放置在加热板(1)上表面,然后将表面涂上焊料的覆铜板(3)立在宏通道散热器(2)的两侧面,再利用加热柱(4)顶住覆铜板(3),使覆铜板紧靠宏通道散热器(2),加热柱(4)中间有通孔(9),打开真空泵(5),通过真空泵(5)及加热柱中间的通孔(9)吸紧覆铜板(3),打开加热板(1)和加热柱(4),实现对覆铜板进行焊接;
2.根据权利要求1所述一种宏通道半导体激光器叠阵的封装方法,其特征在于:调节加热柱(4)的位置,从而调节覆铜板的焊接位置。
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【专利技术属性】
技术研发人员:程东明,马凤英,胡永生,何九如,王立军,
申请(专利权)人:郑州大学,
类型:发明
国别省市:
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