【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，且特别是有关于一种mct型开关的控制电路。
技术介绍
1、高压电容放电单元常用于电火工品，其能够提供高功率脉冲能量，从而实现点火与起爆。图1中所示的高压电容放电单元主要包括高压电容c1与mct型开关m1，mct型开关m1为mos控制晶闸管，高压电容c1与mct型开关m1串联，端子out1与端子out2连接电火工品。
2、其中，mct型开关m1作为大功率mos控制半导体器件的典型代表，可采用常规mos栅控信号控制开关导通，在百纳秒级时间内脉冲峰值电流可达数千安培，因此其对于驱动电路的要求高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在提供一种mct型开关的控制电路，能够实现mct型开关的抗干扰以及可靠关断。
2、为达到上述目的，本专利技术技术方案是：
3、一种mct型开关的控制电路，包括第一芯片、第一开关、第二开关与第三开关，所述第一芯片的使能引脚连接第一信号，所述第一芯片的电源引脚连接第一电压，所述第一电压连接所述第一开关的漏极，所述第一开关的源极接地，所述第一开关的栅极连接第二信号，所述第一电压连接所述第二开关的漏极，所述第二开关的源极接地，所述第二开关的栅极连接第三信号，所述第一芯片的电平引脚连接所述第一开关的漏极与所述第二开关的漏极，所述第一芯片的第一输出引脚连接mct型开关的栅极，所述第一芯片的接地引脚连接所述mct型开关的阴极并接地，所述第三开关的漏极连接所述mct型开关的栅极，所述第三开关的源极连接所述mct型开关的阴极，所
4、进一步地，在所述第一芯片的使能引脚为高电平的情况下，所述第一芯片的第一输出引脚与所述第一芯片的第二输出引脚互补输出。
5、在一具体实施例中，当所述第一信号为高电平，所述第二信号、所述第三信号为低电平时，所述第一芯片的第一输出引脚为高电平，所述第一芯片的第二输出引脚为低电平。
6、在一具体实施例中，当所述第一信号为高电平，所述第二信号、所述第三信号其中一个为高电平时，所述第一芯片的第一输出引脚为低电平，所述第一芯片的第二输出引脚为高电平。
7、在一具体实施例中，上述第一芯片的型号为xc2233blc。
8、在一具体实施例中，上述一种mct型开关的控制电路，还包括高速电流瞬态阻断器，所述高速电流瞬态阻断器的第一端连接所述mct型开关的栅极，所述高速电流瞬态阻断器的第二端连接所述mct型开关的阴极。
9、在一具体实施例中，上述一种mct型开关的控制电路，还包括多个电阻，所述第一电压经过第一电阻连接所述第一开关的栅极，所述第一电压经过第二电阻连接所述第一开关的漏极，所述第一电压经过第三电阻连接所述第二开关的漏极，所述第一电压经过第四电阻连接所述第二开关的栅极。
10、在一具体实施例中，上述第一开关、上述第二开关、上述第三开关为mosfet。
11、本专利技术还提供一种高压电容放电单元，包括上述一种mct型开关的控制电路，还包括高压电容与mct型开关，所述mct型开关的阳极连接所述高压电容的第一端，所述高压电容的第二端为第一端子，所述mct型开关的阴极为第二端子，所述一种mct型开关的控制电路控制所述mct型开关的通断。
12、进一步地，上述第一端子与上述第二端子连接负载。
13、有益效果，本专利技术一种mct型开关的控制电路，能够实现mct型开关的抗干扰以及可靠关断，防止误触发，极大地提高了系统的可靠性。
14、为让专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，包括第一芯片、第一开关、第二开关与第三开关，所述第一芯片的使能引脚连接第一信号，所述第一芯片的电源引脚连接第一电压，所述第一电压连接所述第一开关的漏极，所述第一开关的源极接地，所述第一开关的栅极连接第二信号，所述第一电压连接所述第二开关的漏极，所述第二开关的源极接地，所述第二开关的栅极连接第三信号，所述第一芯片的电平引脚连接所述第一开关的漏极与所述第二开关的漏极，所述第一芯片的第一输出引脚连接MCT型开关的栅极，所述第一芯片的接地引脚连接所述MCT型开关的阴极并接地，所述第三开关的漏极连接所述MCT型开关的栅极，所述第三开关的源极连接所述MCT型开关的阴极，所述第三开关的栅极连接所述第一芯片的第二输出引脚。
2.如权利要求1所述一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，在所述第一芯片的使能引脚为高电平的情况下，所述第一芯片的第一输出引脚与所述第一芯片的第二输出引脚互补输出。
3.如权利要求2所述一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，当所述第一信号为高电平，所述第二信号、所述第三信号为低电平时，所述第一芯片的第一输
4.如权利要求2所述一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，当所述第一信号为高电平，所述第二信号、所述第三信号其中一个为高电平时，所述第一芯片的第一输出引脚为低电平，所述第一芯片的第二输出引脚为高电平。
5.如权利要求1所述一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，还包括高速电流瞬态阻断器，所述高速电流瞬态阻断器的第一端连接所述MCT型开关的栅极，所述高速电流瞬态阻断器的第二端连接所述MCT型开关的阴极。
6.如权利要求5所述一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，还包括多个电阻，所述第一电压经过第一电阻连接所述第一开关的栅极，所述第一电压经过第二电阻连接所述第一开关的漏极，所述第一电压经过第三电阻连接所述第二开关的漏极，所述第一电压经过第四电阻连接所述第二开关的栅极。
7.如权利要求1所述一种MCT型开关的控制电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关为MOSFET。
8.一种高压电容放电单元，其特征在于，包括如权利要求1-7任一项所述一种MCT型开关的控制电路，还包括高压电容与MCT型开关，所述MCT型开关的阳极连接所述高压电容的第一端，所述高压电容的第二端为第一端子，所述MCT型开关的阴极为第二端子，所述一种MCT型开关的控制电路控制所述MCT型开关的通断。
9.如权利要求8所述一种高压电容放电单元，其特征在于，所述第一端子与所述第二端子连接负载。
...【技术特征摘要】
1.一种mct型开关的控制电路，其特征在于，包括第一芯片、第一开关、第二开关与第三开关，所述第一芯片的使能引脚连接第一信号，所述第一芯片的电源引脚连接第一电压，所述第一电压连接所述第一开关的漏极，所述第一开关的源极接地，所述第一开关的栅极连接第二信号，所述第一电压连接所述第二开关的漏极，所述第二开关的源极接地，所述第二开关的栅极连接第三信号，所述第一芯片的电平引脚连接所述第一开关的漏极与所述第二开关的漏极，所述第一芯片的第一输出引脚连接mct型开关的栅极，所述第一芯片的接地引脚连接所述mct型开关的阴极并接地，所述第三开关的漏极连接所述mct型开关的栅极，所述第三开关的源极连接所述mct型开关的阴极，所述第三开关的栅极连接所述第一芯片的第二输出引脚。
2.如权利要求1所述一种mct型开关的控制电路，其特征在于，在所述第一芯片的使能引脚为高电平的情况下，所述第一芯片的第一输出引脚与所述第一芯片的第二输出引脚互补输出。
3.如权利要求2所述一种mct型开关的控制电路，其特征在于，当所述第一信号为高电平，所述第二信号、所述第三信号为低电平时，所述第一芯片的第一输出引脚为高电平，所述第一芯片的第二输出引脚为低电平。
4.如权利要求2所述一种mct型开关的控制电路，其特征在于，当所述第一信号为高电平，所述第二信...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁媛媛，葛俊吉，夏冰，韩天，
申请(专利权)人：江苏展芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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