【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子电路，具体涉及一种分时带隙基准电路及控制方法。
技术介绍
1、带隙基准电路是一种利用半导体材料的物理特性来生成稳定电压的电路，用于提供一个受温度变化影响较小的基准电压。
2、而目前已有的带隙基准电路，为了降低带隙基准电路的功耗，在设计过程中往往采用多个阻值高达几十兆欧姆的电阻，导致设计出来的带隙基准电路会占用大量的版图面积，不利于集成电路的设计。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提供了一种分时带隙基准电路及控制方法，以解决上述问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种分时带隙基准电路，包括：
3、电路包括：带隙基准电路与输出开关电路，带隙基准电路包括：
4、正温度系数电流产生电路，用于产生与负温度系数电压变化相反的补偿电流；
5、带隙基准电压产生电路，与正温度系数电流产生电路连接，用于产生带隙基准电压；
6、启动电路，用于为正温度系数电流产生电路提供启动控制电压；
7、带隙基准开关电路，用于根据接收的第一控制信号的时序控制带隙基准电路的启动或关闭；
8、输出开关电路包括：主控制开关管m13与储能电容c0，主控制开关管m13的第一端与带隙基准电路的用于输出带隙基准电压的基准电压输出端连接、主控制开关管m13的第二端与储能电容c0连接，且作为分时带隙基准电路的总输出端、主控制开关管m13的控制端用于接收第二控制信号，输出开关电路用于根据接收的第二控制信号的时序控制带隙
9、在一种可选的实施方式中，正温度系数电流产生电路，包括：运算放大器op1、第一支路与第二支路；
10、第一支路包括依次串联的第一开关管m1、第一电阻r1以及第一三极管q1，其中，第一开关管m1的控制端与运算放大器op1的输出端连接，第一开关管m1的第一端作为第一支路的第一端，第一开关管m1的第二端与运算放大器op1的同相输入端连接；
11、第二支路包括依次串联的第二开关管m2以及第二三极管q2，其中，第二开关管m2的控制端与运算放大器op1的输出端连接，第二开关管m2的第一端作为第二支路的第一端，第二开关管m2的第二端与运算放大器op1的反相输入端连接；
12、第一支路与第二支路的第一端均与外部电源连接，第一支路与第二支路的第二端接地。
13、在一种可选的实施方式中，带隙基准电压产生电路，包括：
14、依次串联的第三开关管m3、第二电阻r2以及第三三极管q3，其中，第三开关管m3还与的控制端与运算放大器op1的输出端连接；
15、带隙基准电压产生电路的第一端与外部电源连接，带隙基准电压产生电路的第二端接地。
16、在一种可选的实施方式中，输出开关电路，还包括：
17、第一信号转换支路21，包括串联的第一反相器i0与第二反相器i1，第一反相器i0的输入端用于输入第二控制信号；第一反相器i0与第二反相器i1用于将输入的信号进行反相，以获得与输入的信号相位相反的输出信号；
18、端电压产生支路22，包括串联的第四开关管m4与第五开关管m5，第四开关管m4的控制端与第二反相器i1的输出端连接，第五开关管m5的控制端与第一反相器i0的输出端连接；端电压产生支路的第一端与外部电源连接，端电压产生支路的第二端与主控制开关管m13的第一端连接；第一反相器i0的输出端与主控制开关管m13的控制端连接，主控制开关管m13的第四端还与第四开关管m4的第二端连接。
19、在一种可选的实施方式中，带隙基准开关电路，包括：
20、第二信号转换支路141，包括串联的第三反相器i2与第四反相器i3，第三反相器i2的输入端用于输入第一控制信号；第三反相器i2与第四反相器i3用于将输入的信号进行反相，以获得与输入的信号相位相反的输出信号；
21、第六开关管m6，与第一电阻r1以及第一三极管q1并联；
22、第七开关管m7，与第二三极管q2并联；
23、第八开关管m8，第一端与基准电压输出端连接，第二端接地；
24、第六开关管m6的控制端、第七开关管m7的控制端、第八开关管m8的控制端都与第三反相器i2的输出端连接；
25、第九开关管m9，第一端与外部电源连接、第二端与运算放大器op1的输出端连接，第九开关管m9的控制端与第四反相器i3的输出端连接。
26、在一种可选的实施方式中，启动电路，包括：
27、第三电阻r3，第一端与外部电源连接；
28、第十开关管m10，第一端与第三电阻r3的第二端连接、第十开关管m10的控制端与第三开关管m3的第二端连接、第十开关管m10的第二端接地；
29、第十一开关管m11，第一端与运算放大器op1的输出端连接、第十一开关管m11的控制端与第十开关管m10的第一端连接；
30、第十二开关管m12，第一端与第十一开关管m11的第二端连接、第十二开关管m12的第二端接地，第十二开关管m12的控制端与第四反相器i3的输出端连接。
31、在一种可选的实施方式中，第一开关管m1、第二开关管m2、主控制开关管m13均为pmos管、第十开关管m10、第十一开关管m11、第十二开关管m12均为nmos管；
32、第一三极管q1、第二三极管q2均为pnp三极管。
33、在一种可选的实施方式中，第六开关管m6、第七开关管m7、第八开关管m8均为nmos管；第九开关管m9为pmos管。
34、在一种可选的实施方式中，第四开关管m4、第五开关管m5均为pmos管。
35、第二方面，本专利技术提供了一种分时带隙基准电路控制方法，该方法适用于上述的分时带隙基准电路，该方法包括：
36、发送第一控制信号至带隙基准开关电路；
37、在带隙基准开关电路接收到第一控制信号后，控制带隙基准开关电路启动且持续第一预设时间；
38、在带隙基准开关电路启动了第一等待时间后，发送第二控制信号至输出开关电路；
39、在输出开关电路接收到第二控制信号后，控制输出开关电路打开且持续第二预设时间；
40、在输出开关电路持续打开第二预设时间后，控制输出开关电路关闭；
41、在输出开关电路关闭了第二等待时间后，控制带隙基准开关电路关闭；
42、其中，第一预设时间为第一等待时间、第二预设时间、第二等待时间之和。
43、本专利技术提供的分时带隙基准电路以及分时带隙基准电路控制方法，可以通过接收的第一控制信号与第二控制信号，按照各自接收的时序分别控制对应的电路，完成带隙基准的分时工作，在不需要将带隙基准电路设计成极低功耗的情况下，不仅降低了分时带隙基准电路的平均功耗，而且避免了产生的系统环路带宽窄，动态响应速度慢，以及避免电阻阻值过大，导致版图面积大的问题。
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1.一种分时带隙基准电路，其特征在于，所述电路包括：带隙基准电路(1)与输出开关电路(2)，所述带隙基准电路(1)包括：
2.根据权利要求1所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路(11)，包括：运算放大器OP1、第一支路与第二支路；
3.根据权利要求2所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电压产生电路(12)，包括：
4.根据权利要求1所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述输出开关电路(2)，还包括：
5.根据权利要求3所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准开关电路，包括：
6.根据权利要求5所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述启动电路(13)，包括：
7.根据权利要求6所述的分时带隙基准电路，其特征在于，
8.根据权利要求5所述的分时带隙基准电路，其特征在于，
9.根据权利要求4所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述第四开关管M4、所述第五开关管M5均为PMOS管。
10.一种分时带隙基准电路控制方法，其特征在于，适用于
...【技术特征摘要】
1.一种分时带隙基准电路，其特征在于，所述电路包括：带隙基准电路(1)与输出开关电路(2)，所述带隙基准电路(1)包括：
2.根据权利要求1所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述正温度系数电流产生电路(11)，包括：运算放大器op1、第一支路与第二支路；
3.根据权利要求2所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述带隙基准电压产生电路(12)，包括：
4.根据权利要求1所述的分时带隙基准电路，其特征在于，所述输出开关电路(2)，还包括：
5.根据权利要求3所述的分时带隙基准电...
【专利技术属性】
技术研发人员：邸庆祥，邓金鸣，陈熙，
申请(专利权)人：创耀苏州通信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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