System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法技术_技高网

一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法技术

技术编号:41139096 阅读:4 留言:0更新日期:2024-04-30 18:09
本发明专利技术涉及通讯电子材料技术领域,公开了一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法,该聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分:复合材料纳米颗粒30~40份;聚四氟乙烯60~70份;水300~400份;其中,所述复合材料纳米颗粒的化学式为A<subgt;x</subgt;[(CH<subgt;2</subgt;)<subgt;3</subgt;NH<subgt;2</subgt;]<subgt;y</subgt;O<subgt;z</subgt;,式中,A元素选自Al、Mo、Nb、Sc、Si、Ta、Ti和W中的一种或两种以上,1≤x≤5,0<y≤1,2≤z≤10。本发明专利技术提供的聚四氟乙烯薄膜体系中,导热性能良好的复合材料的连续热传导通路,使制得的聚四氟乙烯薄膜的导热性能优异;此外,在高频使用环境下,该聚四氟乙烯薄膜以及聚四氟乙烯基高频覆铜板中聚四氟乙烯和复合材料纳米颗粒都难于进行各物相的相互转化,所以其低介电常数十分稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通讯电子材料,具体涉及一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法


技术介绍

1、作为信息高速化的关键基础材料,高速高频覆铜板对5g/6g通信、智能驾驶、物联网、卫星导航、军工雷达等高端通讯制造业的发展有着极为重要的影响。另外,随着5g/6g通讯基站、各种电源模块、大型服务器、功放模块与集成光源模块等大功率电子信息产品的迅速发展,各行各业所有电子信息产品趋向于信息无线传输、高速化与高频化传输信号。然而,在5g/6g毫米波频段内,当高频电磁场通过介质时,由于介质分子交替极化和晶格来回碰撞而产生的热损耗将加剧,相应的介质损耗、导体损耗和辐射损耗就会显著放大并以热量的方式放出,从而产生信号传输的延迟和缺损失真。为了保证电子元器件长期工作的稳定性,电子元器件承载体,即印制电路板(pcb),必须具备优良的耐热性与散热性。

2、覆铜箔层压板是将电子玻纤布或其它增强材料浸以树脂,一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料,简称为覆铜板,各种不同形式、不同功能的印制电路板,都是在覆铜板上有选择地进行加工、蚀刻、钻孔及沉铜等工序,制成不同的印制电路,主要起到各种电子元器件互连导通、绝缘和支撑的作用,同时也对电路中电磁信号的传输速度、能量损失和特性阻抗等有很大的影响,因此,印制电路板,特别是高速高频印制电路板的性能、品质以及长期的可靠性及稳定性在很大程度上取决于覆铜板的性能特性。

3、目前高频铜覆板的制备方法主要为:将不同无机填料与低介电常数树脂体系(ptfe)的物理混合,制备成的混合乳液浆料经过偶联涂覆成膜,该膜再与电子铜箔真空高温热压得到相应覆铜板。所制备的导热性高频覆铜板主要依赖于导热性能较好的无机填料的热传导。然而,这种方案的局限在于:由于不同无机填料颗粒之间以及无机填料颗粒与树脂体系的均匀混合十分困难,良好的热传导很难连续,从而使得所制备的导热性高频覆铜板的导热性能与理论值差别极大,使其难以满足在5g/6g、航空航天以及高功率电子器件等集成化和小型化场景中的应用。


技术实现思路

1、本专利技术的目的是克服现有技术存在的问题,提供一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法,该聚四氟乙烯薄膜胶片具有高导热、低介电常数和超低介质损耗,从而能够制得具有高导热、低介电常数和超低介质损耗的高频覆铜板。

2、为了实现上述目的,本专利技术一方面提供一种聚四氟乙烯薄膜,所述聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分:

3、复合材料纳米颗粒30~40份;

4、聚四氟乙烯60~70份;

5、水300~400份;

6、其中,所述复合材料纳米颗粒的化学式为ax[(ch2)3nh2]yoz,式中,a元素选自al、mo、nb、sc、si、ta、ti和w中的一种或两种以上,1≤x≤5,0<y≤1,2≤z≤10。

7、优选地,按重量份数计,所述复合材料纳米颗粒的制备原料包括:

8、含a元素的可溶性化合物1~20份;

9、含氨基有机硅化合物1~2份;

10、氢氧化钠溶液5~10份;

11、水200~1000份;

12、阳离子表面活性剂1~2份。

13、优选地,所述复合材料纳米颗粒按照以下工序制备:

14、将阳离子表面活性剂与水、氢氧化钠溶液混合,得到第一溶液;

15、将所述第一溶液和含a元素的可溶性化合物混合,得到混合物;

16、将所述混合物与含氨基有机硅化合物混合,得到前驱体,然后干燥、萃取。

17、优选地,所述氢氧化钠溶液的浓度为1~2mol/l。

18、优选地,所述阳离子表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵。

19、优选地,所述含氨基有机硅化合物为3-氨基丙基三甲氧基硅烷和/或3-氨基丙基三乙氧基硅烷。

20、本专利技术第二方面提供一种如上所述的聚四氟乙烯薄膜的制备方法,该方法包括以下步骤:

21、(1)将聚四氟乙烯与水混合,得到聚四氟乙烯/水体系;

22、(2)将复合材料纳米颗粒与水混合,静置,除去沉淀,得到分散液;

23、(3)将所述分散液与所述聚四氟乙烯/水体系混合,得到浆料;

24、(4)将所述浆料涂覆于模具上,然后干燥,得到聚四氟乙烯薄膜。

25、本专利技术第三方面提供一种如上所述的方法制备得到的聚四氟乙烯薄膜。

26、本专利技术第四方面提供一种聚四氟乙烯基高频覆铜板,所述聚四氟乙烯基高频覆铜板包括如上所述的聚四氟乙烯薄膜。

27、优选地,所述聚四氟乙烯薄膜的上下表面均覆有铜箔。

28、本专利技术第五方面提供一种聚四氟乙烯基高频覆铜板的制备方法,该方法包括:

29、将如上所述的聚四氟乙烯薄膜进行烧结,然后在烧结后的聚四氟乙烯薄膜的上下表面分别覆以铜箔,接着真空热压。

30、本专利技术提供的聚四氟乙烯薄膜,以复合材料纳米颗粒、聚四氟乙烯和水为原料制得,复合材料纳米颗粒的化学式为ax[(ch2)3nh2]yoz,使复合材料纳米颗粒能够均匀分散于聚四氟乙烯薄膜骨架中,如此,一方面,进一步增强了薄膜的强度,另一方面,使聚四氟乙烯薄膜体系内,导热性能良好的复合材料的热传导通路连续,使制得的聚四氟乙烯薄膜的导热性能优异;此外,在高频使用环境下,该聚四氟乙烯薄膜以及聚四氟乙烯基高频覆铜板中聚四氟乙烯和复合材料纳米颗粒都难于进行各物相的相互转化,所以其低介电常数十分稳定。

31、本专利技术提供的聚四氟乙烯基高频覆铜板包括聚四氟乙烯薄膜,该聚四氟乙烯薄膜内填充有复合材料纳米颗粒,如此,在高频(即毫米波频段内)使用时,当高频电磁波通过该介质时,复合材料纳米颗粒和聚四氟乙烯分子也会降低晶格来回碰撞的几率,使得该高频覆铜板具有超低介质损耗,进一步降低由该高频覆铜板制作而成的高频pcb板在高频使用环境下产生的热量。

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【技术保护点】

1.一种聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分:

2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,按重量份数计,所述复合材料纳米颗粒的制备原料包括:

3.根据权利要求1或2所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述复合材料纳米颗粒按照以下工序制备:

4.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述氢氧化钠溶液的浓度为1~2mol/L;

5.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述含氨基有机硅化合物为3-氨基丙基三甲氧基硅烷和/或3-氨基丙基三乙氧基硅烷。

6.一种权利要求1-5中任意一项所述的聚四氟乙烯薄膜的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

7.由权利要求6所述的方法制备得到的聚四氟乙烯薄膜。

8.一种聚四氟乙烯基高频覆铜板,其特征在于,所述聚四氟乙烯基高频覆铜板包括权利要求1-5和7中任意一项所述的聚四氟乙烯薄膜。

9.根据权利要求8所述的聚四氟乙烯基高频覆铜板,其特征在于,所述聚四氟乙烯薄膜的上下表面均覆有铜箔

10.一种聚四氟乙烯基高频覆铜板的制备方法,其特征在于,该方法包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分:

2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,按重量份数计,所述复合材料纳米颗粒的制备原料包括:

3.根据权利要求1或2所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述复合材料纳米颗粒按照以下工序制备:

4.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述氢氧化钠溶液的浓度为1~2mol/l;

5.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜,其特征在于,所述含氨基有机硅化合物为3-氨基丙基三甲氧基硅烷和/...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄裕林闵丽娥兰瑛王宏
申请(专利权)人:深圳市纳氟科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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