一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法技术

本发明专利技术涉及通讯电子材料技术领域，公开了一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法，该聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分：复合材料纳米颗粒30~40份；聚四氟乙烯60~70份；水300~400份；其中，所述复合材料纳米颗粒的化学式为A<subgt;x</subgt;[(CH<subgt;2</subgt;)<subgt;3</subgt;NH<subgt;2</subgt;]<subgt;y</subgt;O<subgt;z</subgt;，式中，A元素选自Al、Mo、Nb、Sc、Si、Ta、Ti和W中的一种或两种以上，1≤x≤5，0＜y≤1，2≤z≤10。本发明专利技术提供的聚四氟乙烯薄膜体系中，导热性能良好的复合材料的连续热传导通路，使制得的聚四氟乙烯薄膜的导热性能优异；此外，在高频使用环境下，该聚四氟乙烯薄膜以及聚四氟乙烯基高频覆铜板中聚四氟乙烯和复合材料纳米颗粒都难于进行各物相的相互转化，所以其低介电常数十分稳定。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通讯电子材料，具体涉及一种聚四氟乙烯薄膜、聚四氟乙烯基高频覆铜板及其制备方法。

技术介绍

1、作为信息高速化的关键基础材料，高速高频覆铜板对5g/6g通信、智能驾驶、物联网、卫星导航、军工雷达等高端通讯制造业的发展有着极为重要的影响。另外，随着5g/6g通讯基站、各种电源模块、大型服务器、功放模块与集成光源模块等大功率电子信息产品的迅速发展，各行各业所有电子信息产品趋向于信息无线传输、高速化与高频化传输信号。然而，在5g/6g毫米波频段内，当高频电磁场通过介质时，由于介质分子交替极化和晶格来回碰撞而产生的热损耗将加剧，相应的介质损耗、导体损耗和辐射损耗就会显著放大并以热量的方式放出，从而产生信号传输的延迟和缺损失真。为了保证电子元器件长期工作的稳定性，电子元器件承载体，即印制电路板（pcb），必须具备优良的耐热性与散热性。

2、覆铜箔层压板是将电子玻纤布或其它增强材料浸以树脂，一面或双面覆以铜箔并经热压而制成的一种板状材料，简称为覆铜板，各种不同形式、不同功能的印制电路板，都是在覆铜板上有选择地进行加工、蚀刻、钻孔及沉铜等工序，制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分：

2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，按重量份数计，所述复合材料纳米颗粒的制备原料包括：

3.根据权利要求1或2所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述复合材料纳米颗粒按照以下工序制备：

4.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的浓度为1~2mol/L；

5.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述含氨基有机硅化合物为3-氨基丙基三甲氧基硅烷和/或3-氨基丙基三乙氧基硅烷。>

6.一种权利...

【技术特征摘要】

1.一种聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述聚四氟乙烯薄膜包括以下重量份数的原料组分：

2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，按重量份数计，所述复合材料纳米颗粒的制备原料包括：

3.根据权利要求1或2所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述复合材料纳米颗粒按照以下工序制备：

4.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述氢氧化钠溶液的浓度为1~2mol/l；

5.根据权利要求2或3所述的聚四氟乙烯薄膜，其特征在于，所述含氨基有机硅化合物为3-氨基丙基三甲氧基硅烷和/...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄裕林，闵丽娥，兰瑛，王宏，
申请(专利权)人：深圳市纳氟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：