一种Flash芯片读写方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及电子信息技术领域，公开了一种Flash芯片读写方法及装置，所述方法包括：基于待使用擦写寿命确定存储段数量；基于存储段数量和存储段的空间大小对Flash芯片的存储空间进行划分，获得多个存储段，并为存储空间配置起始地址，其中，存储段包括：索引号、有效数据和校验码，存储段的空间大小基于索引号、有效数据和校验码所占字节数预先进行设置；在进行读写操作时，基于索引号确定待读写存储段，基于索引号和存储段的空间大小确定待读写存储段的偏移地址，基于待读写存储段的偏移地址进行数据的读写操作。本发明专利技术利用Flash芯片容量大的特点，将Flash芯片的存储空间划分为多个存储段，获取到多倍的擦写寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子信息，具体涉及一种flash芯片读写方法及装置。

技术介绍

1、嵌入式系统中存储器分为两大类：ram(random access memory，随机存储器)和prom(programmable read-only memory，可编程只读存储器)。其中，ram用于系统运行，断电后数据会丢失。芯片内部prom用于存储可执行代码，因此一般情况下采用外部可编程存储器来存储系统配置参数。

2、目前主流的外部存储器有eeprom(electrically erasable programmable read-only memory，带电可擦可编程只读存储器)和flash芯片，eeprom一般擦写寿命是100万次，容量一般在256bytes～128kbytes，一般采用iic通讯方式，速度不超过100kbps，读写速度较慢且价格较贵。flash一般擦写寿命是10万次，容量一般从1mbytes～1gbytes，一般采用spi或qspi通讯，读取速度可以达到100mbps以上，同等价位下flash的容量和速度占有绝对优势，但是其单bit擦写寿本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种Flash芯片读写方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在基于所述索引号和待写入数据，确定校验码之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述目标存储段的偏移地址减1和所述写入结束地址在一个最小擦除单位内的情况下，返回执行基于所述索引号和待写入数据，确定校验码的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在索引号小于索引号阈值的情况下，返回无有效数据。</p>

7.根据...

【技术特征摘要】

1.一种flash芯片读写方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在基于所述索引号和待写入数据，确定校验码之前，还包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述目标存储段的偏移地址减1和所述写入结束地址在一个最小擦除单位内的情况下，返回执行基于所述索引号和待写入数据，确定校验码的步骤。

5.根据权利要求1所述的方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：李胜，刘威，贾倩男，
申请(专利权)人：固德威技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：