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一种Flash芯片读写方法及装置制造方法及图纸
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文档序号:41135999
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本发明涉及电子信息技术领域,公开了一种Flash芯片读写方法及装置,所述方法包括:基于待使用擦写寿命确定存储段数量;基于存储段数量和存储段的空间大小对Flash芯片的存储空间进行划分,获得多个存储段,并为存储空间配置起始地址,其中,存储段包...
该专利属于固德威技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过固德威技术股份有限公司授权不得商用。
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