【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于光子学，涉及一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法及其产品。
技术介绍
1、甲胺铅碘钙钛矿(mapbi3)，是一种常见的钙钛矿材料。现有提高mapbi3薄膜的放大自发发射性方法有：1、晶体控制和制备优化：通过调节制备mapbi3薄膜过程中的工艺参数，如溶剂选择、溶液浓度、温度控制等，可以实现薄膜的高质量晶体生长，提高晶体的结晶度和排列性，从而优化其发光性能；2、合理控制缺陷和杂质：mapbi3薄膜中的缺陷和杂质会影响其发光性能，控制mapbi3薄膜的制备条件，包括制备温度和退火温度等，可以减少晶界和缺陷的形成，提高发光效果；3、界面工程：在mapbi3薄膜与其他材料的界面处引入适当的界面层或掺杂剂，可以改善电荷传输和电子注入效率，从而增强发光性能；4、提高载流子迁移率：mapbi3薄膜中的载流子迁移率对其发光性能具有重要影响，可以通过掺杂或控制晶体结构、晶粒大小来提高载流子迁移率，从而提高发光效率；5、光降解抑制：mapbi3薄膜在光照下容易发生分解和氧化反应，导致发光性能衰减，可以通过引入稳定剂、界面修饰剂或增加保护层等方法，抑制光降解作用，延长薄膜的发光寿命。需要指出的是，针对mapbi3薄膜的发光性能提高方法是一个活跃的研究领域，还有许多其他的方法和策略，如温度控制、光子结构优化和控制晶体缺陷等以改进和优化mapbi3薄膜的发光性能。但是上述方法多复杂且较难控制。
2、因此，需要进一步对提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法进行新的研究，以便找到一种简单有效的方法来制备得到自发发射
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术的目的之一在于提供一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法；本专利技术的目的之二在于提供一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法制备的产品。
2、为达到上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、1.一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法，所述方法如下所示：
4、向甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液中加入二丁基羟基甲(bht)得到改性的前驱液，将所述改性的前驱液旋涂在基底上，退火后静置得到甲胺铅碘钙钛矿薄膜。
5、优选的，所述甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液中含有浓度为178.45mg/ml的pbi2和浓度为61.55mg/ml的甲胺碘(mai)。
6、优选的，所述甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液的溶剂为离子液体maac。
7、优选的，所述改性的前驱液中二丁基羟基甲(bht)的浓度为9.6mg/ml。
8、优选的，所述基底为石英片或玻璃片。
9、优选的，所述静置为在95％rh湿度环境中静置30min。
10、2.根据上述方法制备得到的甲胺铅碘钙钛矿薄膜。
11、本专利技术的有益效果在于：本专利技术公开了一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法，主要是在制备甲胺铅碘钙钛矿薄膜的过程中向前驱液中添加二丁基羟基甲(bht)，制备出的薄膜在95％rh湿度环境中静置30min,从而在制备甲胺铅碘钙钛矿薄膜过程中降低阈值、损耗，提高增益，达到用一种简单的方法提高甲胺铅碘(mapbi3)钙钛矿薄膜放大自发发射性能的目的。
12、本专利技术的其他优点、目标和特征在某种程度上将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上，基于对下文的考察研究对本领域技术人员而言将是显而易见的，或者可以从本专利技术的实践中得到教导。本专利技术的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。
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1.一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法，其特征在于，所述方法如下所示：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液中含有浓度为178.45mg/ml的PbI2和浓度为61.55mg/ml的甲胺碘。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液的溶剂为离子液体MAAc。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改性的前驱液中二丁基羟基甲的浓度为9.6mg/ml。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底为石英片或玻璃片。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述静置为在95％RH湿度环境中静置30min。
7.根据权利要求1～6任一项所述方法制备得到的甲胺铅碘钙钛矿薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种提高甲胺铅碘钙钛矿薄膜放大自发发射性能的方法，其特征在于，所述方法如下所示：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液中含有浓度为178.45mg/ml的pbi2和浓度为61.55mg/ml的甲胺碘。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述甲胺铅碘钙钛矿薄膜的前驱液的溶剂为离子液体maac。
...【专利技术属性】
技术研发人员：张丁可，杨洁，皮明雨，黄业雄，李帅錡，罗皓月，
申请(专利权)人：重庆师范大学，
类型：发明
国别省市：
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