【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于硅片加工，具体涉及硅片复洗剂、硅片复洗方法和应用。
技术介绍
1、硅片作为制作光伏电池和集成电路的基础材料，其外表面的洁净程度直接影响到光伏电池和集成电路最终的性能、效率和稳定性。目前硅片经过排片、清洗、烘干后，同批次仍然存在0.5％-0.6％的不合格硅片需要通过复洗，才能获得合格的硅片产品。
2、硅片复洗是硅片清洗生产的一个重要环节。一般硅片清洗剂主要包含氢氧化钠等碱性成分、表面活性剂和络合剂等，在清洗硅片表面脏污杂质的同时对硅片进行润湿保护。因不合格的脏污硅片已经过初次清洗，其表面杂质少较为光滑，硅片间吸附情况严重，不易分片，而传统硅片复洗剂包含分散剂和酸(如柠檬酸)，通过酸溶液化学反应去除硅片表面氧化物、金属离子等污染物，不能有效减少硅片之间的附着力，导致硅片分片困难，排片时重片、撞片情况频发。同时传统复洗工艺不仅排片效率低，而且对硅片保护效果不佳，碎片率高，复洗良率低，明显降低硅片产能。
3、因此，亟需提供一种硅片复洗剂和硅片复洗方法，能够优化排片效果，提高排片效率和复洗良率，减少碎片率，以提高硅片产能。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决上述现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提出一种硅片复洗剂、硅片复洗方法和应用。本专利技术提供的硅片复洗剂和硅片复洗方法，能够优化排片效果，提高排片效率和复洗良率，同时减少碎片率。
2、本专利技术提供了一种硅片复洗剂。
3、具体地，一种硅片复洗剂，包括a组分和b
4、优选地，在a组分中，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为(3-5)：(5-8)；进一步优选地，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为(3-5)：(5-7)；更优选地，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为2：(2.5-3.5)。
5、优选地，所述支链聚氧乙烯醚为双子型聚氧乙烯醚，具体结构如式(1)所示：
6、
7、优选地，在a组分中，所述梳状高分子超分散剂的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的4％-25％；进一步优选地，所述梳状高分子超分散剂的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的5％-20％；更优选地，所述梳状高分子超分散剂的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的5％-15％。如8％、10％、12％、15％等。
8、优选地，在a组分中，所述聚乙二醇的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的50％-100％；进一步优选地，所述聚乙二醇的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的55％-85％；更优选地，所述聚乙二醇的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的60％-80％。
9、优选地，所述a组分还包括水。
10、优选地，所述水的加入量为所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的2-6倍；进一步优选地，所述水的加入量为所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的2.5-5倍；更优选地，所述水的加入量为所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的2.5-4倍。
11、优选地，所述a组分还包括杀菌剂、防锈剂或阻垢剂中的至少一种。
12、优选地，在所述b组分中，所述硅粉的含量为10％-20％；进一步优选地，在所述b组分中，所述硅粉的含量为12％-18％。b组分中细小的硅粉不仅能够浸入硅片间隙，分离硅片；而且还能对硅片起到保护作用，防止硅片的氧化。
13、优选地，所述a组分与所述b组分的质量比为1：(20-45)；进一步优选地，所述a组分与所述b组分的质量比为1：(25-40)。所述a组分与所述b组分分别储存，使用时进行混合。
14、本专利技术还提供了上述硅片复洗剂的制备方法。
15、具体地，上述硅片复洗剂的制备方法，包括以下步骤：
16、将辛醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、支链聚氧乙烯醚和梳状高分子超分散剂混合，制得a组分；
17、将硅粉与水混合制得b组分。
18、本专利技术还提供了上述硅片复洗剂的应用。
19、具体地，上述硅片复洗剂在制备清洗硅片中的应用。
20、本专利技术还提供了一种硅片复洗方法。
21、具体地，一种硅片复洗方法，包括以下步骤：
22、将上述硅片复洗剂的a组分与b组分混合，得到混合液；然后将需复洗硅片吹片后，加入所述混合液中，进行泡片处理；再经排片、洗片，得复洗硅片。
23、优选地，所述吹片过程采用气枪对需复洗硅片进行吹气，使所述需复洗硅片初步分离。同时在气枪上安装气压表观察气压，控制气压为0.15-0.25mpa最佳。当气压过大会造成硅落，崩边等负面影响；气压过小则无法较好地将硅片分离。
24、优选地，所述泡片处理的温度为30-50℃，所述泡片处理的时间为30-240min；进一步优选地，所述泡片处理的温度为30-45℃，所述泡片处理的时间为40-120min。通过控制泡片的时间，能够使b组分中细小的硅粉颗粒浸入硅片间隙中，配合a组分的作用，减少硅片之间的附着力，提高排片效率。研究发现，当泡片时间大于4小时可能会导致硅粉聚集附着至硅片表面难以清洗，而小于30min，则细小的硅粉颗粒难以较好地浸入硅片间隙。
25、本专利技术提供的硅片复洗剂，以包含辛醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、支链聚氧乙烯醚和梳状高分子超分散剂的a组分，与包含硅粉和水的b组分作为主要成分。其中，a组分中辛醇聚氧乙烯醚与支链聚氧乙烯醚配合使用能够有效降低硅片间表面张力和毛细力，减少硅片之间的附着力，并对硅片起到润湿保护作用；而梳状高分子超分散剂含有两个在溶解性和极性上相对的基团，能够进一步降低界面张力，并对体系起到分散效果；聚乙二醇则进一步强化润湿性，使液体更好地覆盖硅片表面，起到良好保护作用。b组分中，细小的硅粉颗粒能够浸入硅片间隙，起到分离硅片的作用。a、b组分的配合使用，从物理、化学两方面分离硅片，提高排片效率，在高效排片的同时，对硅片起到良好的保护作用，能够显著提高复洗良率和减少碎片率。
26、相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：
27、本专利技术提供的硅片复洗剂能够浸入硅片间隙，减小硅片之间的附着力，有效分离硅片，从而达到排片时不重片，不撞片的效果。利用本专利技术提供的硅片复洗方法能够优化排片效果，提高排片效率和复洗良率，减少碎片率。相较于传统复洗方法，本专利技术提供的硅片复洗方法，其排片效率提高了13.7片/分钟，良率提高了14.77％，且碎片、污片和崩边均有不同程度的改善。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅片复洗剂，其特征在于，包括A组分和B组分，所述A组分包括辛醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、支链聚氧乙烯醚和梳状高分子超分散剂；所述B组分包括硅粉和水。
2.根据权利要求1所述的硅片复洗剂，其特征在于，在A组分中，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为(3-5)：(5-8)；优选地，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为(3-5)：(5-7)。
3.根据权利要求1或2所述的硅片复洗剂，其特征在于，在A组分中，所述梳状高分子超分散剂的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的4％-25％。
4.根据权利要求1或2所述的硅片复洗剂，其特征在于，在A组分中，所述聚乙二醇的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的50％-100％；优选地，所述聚乙二醇的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的55％-85％。
5.根据权利要求1或2所述的硅片复洗剂，其特征在于，所述A组分还包括水；所述水的加入量为所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的2-6倍。
6.根据权利要求1或2所
7.根据权利要求6所述的硅片复洗剂，其特征在于，所述A组分与所述B组分的质量比为1：(20-45)。
8.权利要求1-7任一项所述的硅片复洗剂在制备硅片中的应用。
9.一种硅片复洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的硅片复洗方法，其特征在于，所述泡片处理的温度为30-50℃，所述泡片处理的时间为30-240min。
...【技术特征摘要】
1.一种硅片复洗剂，其特征在于，包括a组分和b组分，所述a组分包括辛醇聚氧乙烯醚、聚乙二醇、支链聚氧乙烯醚和梳状高分子超分散剂；所述b组分包括硅粉和水。
2.根据权利要求1所述的硅片复洗剂，其特征在于，在a组分中，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为(3-5)：(5-8)；优选地，所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚的质量比为(3-5)：(5-7)。
3.根据权利要求1或2所述的硅片复洗剂，其特征在于，在a组分中，所述梳状高分子超分散剂的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的4％-25％。
4.根据权利要求1或2所述的硅片复洗剂，其特征在于，在a组分中，所述聚乙二醇的质量占所述辛醇聚氧乙烯醚与所述支链聚氧乙烯醚总质量的50％-100％；优选地，所述聚乙二醇的...
【专利技术属性】
技术研发人员：程凯，全晓冬，付明全，汤琦，
申请(专利权)人：广东金湾高景太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。