半导体结构的制备方法及半导体结构技术

本申请实施例涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；在刻蚀反应腔内对衬底执行第一刻蚀工艺，以形成深度小于沟槽预设深度的第一沟槽段；将衬底移出刻蚀反应腔后，对刻蚀反应腔执行第一清洁工艺；将衬底移入刻蚀反应腔后，对衬底执行第二清洁工艺；执行第一处理工艺，去除执行第二清洁工艺时在第一沟槽段内壁形成的第一氧化物层；执行第二处理工艺，以对第一沟槽段的底部进行处理；第二处理工艺包括各向同性刻蚀工艺；沿第一沟槽段对衬底执行至少一次刻蚀，形成沿着第一沟槽段继续向衬底内部延伸至预设深度的沟槽。如此可降低部分刻蚀缺陷发生的概率，并使形成的沟槽具有良好的形貌。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体，特别是涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

技术介绍

1、深沟槽功率器件相较于平面功率器件，具有集成度高、导通电阻低、开关速度快、开关损耗小等特点。深沟槽功率器件包括超结晶体管、垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管等。不断提升深沟槽功率器件的耐压水平是本领域的重点研发方向。深沟槽功率器件的耐受电压与深沟槽的深度呈正相关，随着半导体功率器件中深沟槽深度的不断增加，对半导体功率器件制造行业也提出了更高的要求。

2、深沟槽刻蚀一直是功率器件制造领域的技术难题。因为深沟槽的深宽比较大，刻蚀时间长，刻蚀过程中产生的副产物多，随着刻蚀时间的延长，越来越多的副产物聚集在刻蚀反应腔内，容易对晶圆表面造成污染，因此极易产生部分刻蚀缺陷（partial etchdefect），造成产品良率损失。

技术实现思路

1、有鉴于此，本申请实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体结构的制备方法及半导体结构。

2、第一方面，本申请实施例提供了一种半导体结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述刻蚀反应腔执行第一清洁工艺，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述衬底执行第二清洁工艺，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第三清洁气体包括含氧气体。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述执行第一处理工艺，包括：

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述执行第二处理工艺，包括：

7....

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述刻蚀反应腔执行第一清洁工艺，包括：

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述衬底执行第二清洁工艺，包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第三清洁气体包括含氧气体。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述执行第一处理工艺，包括：

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述执行第二处理工艺，包括：

7.根据权利要求1至6中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒思桅，张城，胡龙辉，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：