【技术实现步骤摘要】
本申请涉及电路，例如涉及一种用于过压保护的电路及电源装置。
技术介绍
1、在电路设计中，过压保护是一项重要的设计考虑因素，它指的是当被保护线路的电压超过预定的最大值时，通过使电源断开或使受控设备电压降低的方式来保护电路的一种措施。
2、在集成电路技术迅速发展的今天，过压保护功能可以在电源芯片内部轻松实现。在电源芯片内部实现的过压保护主要有两种方式：
3、1.自锁式(latch off)：当电源芯片输入引脚的电压达到电源芯片设置的过压保护点时，芯片会立即关闭。只有在故障排除并重新上电后，芯片才能恢复工作。
4、2.自动重启式(hip-cup)：当电源芯片输入引脚的电压达到电源芯片设置的过压保护点时，芯片会立即关闭。但经过一段时间后，芯片会自动进行重新启动动作。如果电源输入一直存在过压的情况，电源芯片会反复进行重启动作。
5、在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
6、自锁式过压保护在故障排除后需要重新上电才能恢复工作，而自动重启式过压保护则会反复重启，如果故障不排除，电路会一直处于重启状态，无法有效断开后级电路的供电。
7、需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或
2、本公开实施例提供了一种用于过压保护的电路及电源装置，以及时进行过压保护并及时恢复电路。
3、在一些实施例中，所述电路包括：第一电阻r1、第二电阻r2、第三电阻r3、三极管q1、mos管q2、稳压二极管d1；
4、所述稳压二极管d1的负极串联所述第一电阻r1后接入电源输入端，其正极接地；
5、所述三极管q1的发射极接入所述电源输入端，其基极串联所述第二电阻r2后连接所述稳压二极管d1的负极，其集电极串联所述第三电阻r3后接地；
6、所述mos管q2的源极接入所述电源输入端，其漏极接入后级电路，其栅极连接所述三极管q1的集电极。
7、可选地，所述mos管q2是pmos管。
8、可选地，所述三极管q1是pnp三极管。
9、可选地，所述三极管q1的通断受控于所述稳压二极管d1的预设稳压值和所述电源输入端输入的电压值。
10、可选地，所述mos管q2的开关受控于所述三极管q1的通断。
11、可选地，所述第一电阻r1的阻值为47kω。
12、可选地，所述第二电阻r2的阻值为4.7kω。
13、可选地，所述第三电阻r3的阻值为10kω。
14、在一些实施例中，所述电源装置包括所述的用于过压保护的电路。
15、本公开实施例提供的用于过压保护的电路及电源装置，可以实现以下技术效果：
16、通过调整稳压二极管的稳压值，控制电源电压的保护值；通过比较外部实际输入的电压值与稳压值，控制三极管的导通与关断，进而影响mos管的开启与关闭。当存在过压故障时，快速有效断开后级电路的供电，当过压故障解除后，立即进行重新上电。
17、以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种用于过压保护的电路，其特征在于，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述MOS管Q2是PMOS管。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述三极管Q1是PNP三极管。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述三极管Q1的通断受控于所述稳压二极管D1的预设稳压值和所述电源输入端输入的电压值。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述MOS管Q2的开关受控于所述三极管Q1的通断。
6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第一电阻R1的阻值为47kΩ。
7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二电阻R2的阻值为4.7kΩ。
8.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第三电阻R3的阻值为10kΩ。
9.一种电源装置，其特征在于，所述电源装置包括权利要求1至8任一项所述的用于过压保护的电路。
【技术特征摘要】
1.一种用于过压保护的电路，其特征在于，所述电路包括：
2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述mos管q2是pmos管。
3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述三极管q1是pnp三极管。
4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述三极管q1的通断受控于所述稳压二极管d1的预设稳压值和所述电源输入端输入的电压值。
5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张学恒，赵素梅，刘月，孙永升，
申请(专利权)人：西安超越申泰信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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