【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体少子寿命测试领域，尤其涉及一种少子寿命的测试装置和测试方法。
技术介绍
1、少子寿命是半导体材料和半导体器件的重要参数，少子寿命不仅反映材料的质量，还决定半导体器件的相关特性。少子寿命的测量对半导体器件的制备具有重要的指导意义。
2、目前对于少子寿命的测量常采用微波光电导衰减法、表面光电压法、开路电压衰减法、时间分辨光致发光、瞬态自由载流子吸收法等。其中，微波光电导衰减法是应用最为广泛的半导体少子寿命测试方法。
3、现有采用微波光电导衰减法的测试设备使用非接触式测量，探头体积大，操作步骤复杂。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于针对现有少数载流子寿命测试方法的不足，提供一种便携的少子寿命测试装置及测试方法。该少子寿命测试装置结构简单，测试方法操作方便。
2、本专利技术的一种少子寿命测试装置，该测试仪包括：待测的n型半导体、极性液体、石墨烯、激光器和探测装置，还包括分设于n型半导体、石墨烯上的第一电极和第二电极。n型半导体、极性液体、石墨烯依次叠置形成异质结，激光器照射异质结或所述n型半导体上，探测装置连接第一电极及第二电极进行电流测量。
3、所述的第一电极和第二电极独立选自金、钛、铬、镍、银中的一种或者几种的复合电极，厚度为50-300nm。
4、所述的n型半导体为半导体层，选自碳化硅、金刚石、砷化镓和硅等半导体中的一种。
5、所述的极性液体为任意有极性的溶液，如：水、乙醇等。
<...【技术保护点】
1.一种少子寿命测试装置，其特征在于，包括：待测的N型半导体(2)、极性液体(3)、石墨烯(4)、激光器(6)和探测装置(7)，还包括分设于N型半导体、石墨烯上的第一电极(1)和第二电极(5)，N型半导体(2)、极性液体(3)、石墨烯(4)依次叠置形成异质结，激光器(6)照射异质结或所述N型半导体(2)上，探测装置连接第一电极(1)及第二电极(5)进行电流测量。
2.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，其特征在于，所述的第一电极(1)和第二电极(5)独立选自金、钛、铬、镍、银中的一种或者几种的复合电极，厚度为50-300nm。
3.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，其特征在于，所述的N型半导体(2)是半导体层，独立选自碳化硅、金刚石、砷化镓和硅等半导体中的一种。
4.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，其特征在于，所述的极性液体(3)为任意有极性的溶液。
5.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，其特征在于，所述的激光器(6)为300-1000nm波长的任意激光器。
6.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，其特征在于，所
7.使用如权利要求1-6任一项所述的少子寿命测试装置进行少子寿命测试的方法，其特征在于，测试方法包括以下步骤：
...【技术特征摘要】
1.一种少子寿命测试装置，其特征在于，包括：待测的n型半导体(2)、极性液体(3)、石墨烯(4)、激光器(6)和探测装置(7)，还包括分设于n型半导体、石墨烯上的第一电极(1)和第二电极(5)，n型半导体(2)、极性液体(3)、石墨烯(4)依次叠置形成异质结，激光器(6)照射异质结或所述n型半导体(2)上，探测装置连接第一电极(1)及第二电极(5)进行电流测量。
2.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，其特征在于，所述的第一电极(1)和第二电极(5)独立选自金、钛、铬、镍、银中的一种或者几种的复合电极，厚度为50-300nm。
3.如权利要求1所述的少子寿命测试装置，...
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