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本发明涉及半导体少子寿命测试技术领域，公开了一种半导体少子寿命测试装置及其测试方法。装置包括待测N型半导体、极性液体、石墨烯、激光器、探测装置以及金属电极。该装置利用石墨烯和N型半导体的费米能级差，将极性液体极化。在光源照射下，N型半导体表...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

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