一种双面半桥功率模块制造技术

本技术实施例提供了一种双面半桥功率模块，该双面半桥功率模块包括：金属引线框架以及由上至下依次堆叠的第一散热底板、第一基板、导电块、半桥驱动芯片、第二基板以及第二散热底板。半桥驱动芯片的顶面通过导电块与第一基板电性连接，半桥驱动芯片的另一面与第二基板固定连接，金属引线框架与第二基板电性连接，这样能够更好地发挥半桥驱动芯片的性能，提高半桥驱动芯片的可靠性。第一散热底板又与第一基板的背面贴合，第二散热底板与第二基板的背面贴合，能够及时地带走基板上的热量，提高半桥驱动芯片的工作结温，使得半桥驱动芯片能够在合适的温度范围内更加稳定地工作，从而提高了双面半桥功率模块的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体封装，尤其涉及一种双面半桥功率模块。

技术介绍

1、传统sic功率器件封装是将sic芯片焊接在dbc(direct bonding copper，覆铜板)上，利用金属键合的方式将sic芯片上表面与独立的金属层相连，dbc铜层焊接在散热底板上，散热底板直接与外壳相连进行散热，不同层间通过焊料层连接。

2、当前，sic功率器件封装厂发现hpd封装工艺无法发挥sic材料的最大优势，因而现有sic封装工艺的工作结温、杂散电感以及功率循环可靠性等较为低下。

技术实现思路

1、本技术实施例通过提供一种双面半桥功率模块，解决了现有功率器件工作结温较高，且杂散电感以及功率循环可靠性低下的技术问题。

2、本技术通过本技术的一实施例，提供了一种双面半桥功率模块，包括：金属引线框架以及由上至下依次堆叠的第一散热底板、第一基板、导电块、半桥驱动芯片、半桥驱动芯片、第二基板以及第二散热底板；

3、其中，所述半桥驱动芯片的顶面通过所述导电块与所述第一基板电性连接；所述半桥驱动芯片的另一面与所述第二基板的正面固定连接；所述第一散热底板与所述第一基板的背面贴合；所述第二散热底板与所述第二基板的背面贴合；所述金属引线框架与所述第二基板电性连接。

4、可选的，所述半桥驱动芯片包括多个，每个所述半桥驱动芯片的顶面均通过所述导电块与所述第一基板电性连接，每个所述半桥驱动芯片的另一面均与所述第二基板的正面固定连接。

5、可选的，所述半桥驱动芯片上覆盖有绝缘层，且所述导电块位于所述绝缘层内。

6、可选的，所述绝缘层还将所述第一基板、所述第二基板以及所述第二基板与所述金属引线框架焊接的区域包裹；所述金属引线框架的其余区域暴露在所述绝缘层外。

7、可选的，金属引线框架的材质为铜或铜镀金。

8、可选的，所述第一散热底板以及所述第二散热底板均设置有多张鳍片或多个不相连的凸起。

9、可选的，所述第一散热底板以及所述第二散热底板的材质为铜镀镍。

10、可选的，所述第一基板以及所述第二基板包括amb绝缘陶瓷基板。

11、可选的，所述导电块的材质为钼。

12、可选的，所述半桥驱动芯片包括碳化硅半桥驱动芯片。

13、本技术实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：

14、本技术实施例提供的双面半桥功率模块包括：金属引线框架以及由上至下依次堆叠的第一散热底板、第一基板、导电块、半桥驱动芯片、第二基板以及第二散热底板。半桥驱动芯片的顶面通过导电块与第一基板电性连接，半桥驱动芯片的另一面与第二基板固定连接，金属引线框架与第二基板电性连接，这种结构能够更好地发挥半桥驱动芯片的性能，提高半桥驱动芯片的可靠性。第一散热底板又与第一基板的背面贴合，第二散热底板与第二基板的背面贴合，能够及时地带走基板上的热量，提高半桥驱动芯片的工作结温，使得半桥驱动芯片能够在合适的温度范围内更加稳定地工作，从而提高了双面半桥功率模块的可靠性。

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【技术保护点】

1.一种双面半桥功率模块，其特征在于，包括：金属引线框架以及由上至下依次堆叠的第一散热底板、第一基板、导电块、半桥驱动芯片、第二基板以及第二散热底板；

2.如权利要求1所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述半桥驱动芯片包括多个，每个所述半桥驱动芯片的顶面均通过所述导电块与所述第一基板电性连接，每个所述半桥驱动芯片的另一面均与所述第二基板的正面固定连接。

3.如权利要求1或2所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述半桥驱动芯片上覆盖有绝缘层，且所述导电块位于所述绝缘层内。

4.如权利要求3所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述绝缘层还将所述第一基板、所述第二基板以及所述第二基板与所述金属引线框架焊接的区域包裹；

5.如权利要求4所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述金属引线框架的材质为铜或铜镀金。

6.如权利要求5所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述第一散热底板以及所述第二散热底板均设置有多张鳍片或多个不相连的凸起。

7.如权利要求6所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述第一散热底板以及所述第二散热底板的材质为铜镀镍。

8.如权利要求7所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述第一基板以及所述第二基板包括AMB绝缘陶瓷基板。

9.如权利要求7所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述导电块的材质为钼。

10.如权利要求7所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述半桥驱动芯片包括碳化硅半桥驱动芯片。

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【技术特征摘要】

1.一种双面半桥功率模块，其特征在于，包括：金属引线框架以及由上至下依次堆叠的第一散热底板、第一基板、导电块、半桥驱动芯片、第二基板以及第二散热底板；

2.如权利要求1所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述半桥驱动芯片包括多个，每个所述半桥驱动芯片的顶面均通过所述导电块与所述第一基板电性连接，每个所述半桥驱动芯片的另一面均与所述第二基板的正面固定连接。

3.如权利要求1或2所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述半桥驱动芯片上覆盖有绝缘层，且所述导电块位于所述绝缘层内。

4.如权利要求3所述的双面半桥功率模块，其特征在于，所述绝缘层还将所述第一基板、所述第二基板以及所述第二基板与所述金属引线框架焊接的区域包裹；

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【专利技术属性】
技术研发人员：高阳，吕灿君，周涛，朱江海，
申请(专利权)人：合肥钧联汽车电子有限公司，
类型：新型
国别省市：