【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种相对于氧化硅膜(sio2)，对于硅(si)膜的蚀刻选择比优异的硅蚀刻液组合物及使用其的硅膜的蚀刻方法。
技术介绍
1、在半导体或薄膜显示器制造工艺中，就电路设计而言，为了形成金属配线和栅极元件而使用多晶硅和硅层，并且需要一种将其选择性地去除而蚀刻成一定形状的工艺。
2、然而，就传统的硅蚀刻方法而言，由于对作为半导体主要绝缘膜的氧化硅膜(sio2)也具有蚀刻性能，故有如下问题：暴露下部金属层，且对金属元件引起损伤。
3、为了改善这种问题，提出了添加金属膜腐蚀防止剂的方法，但其效果并不充分，无法解决氧化硅膜等绝缘膜发生损伤的根本问题。此外，也提出了通过调整工艺条件(并非调整蚀刻液组分)来减少蚀刻液接触时间的方法，但这反而可能会带来硅膜未刻蚀(unetch)不良等的问题，从而影响后续工艺。
技术实现思路
1、专利技术要解决的问题
2、本专利技术的目的在于提供一种对硅蚀刻液组合物的蚀刻速度极低，且能够选择性地仅蚀刻硅膜的硅蚀刻液组合物及使用其的蚀刻方法。
3、用于解决问题的手段
4、根据本专利技术的一实施例，提供一种硅蚀刻液组合物，其包含氟基化合物、硝酸基化合物、包含磷酸基无机酸和有机酸的酸混合物、以及亚硝酰化合物。
5、相对于硅蚀刻液组合物的总重量，所述硝酸基化合物的含量可以为70重量％至90重量％。
6、相对于100重量份的所述硝酸基化合物，包含1至10重量份的氟基化合物、5至20重量
7、相对于硅蚀刻液组合物的总重量，所述亚硝酰化合物的含量为0.01至10重量％。
8、所述氟基化合物为氢氟酸(hf)、氟化氢铵(nh4hf2)、氟化铵(nh4f)、氟化钠(naf)、氟化钾(kf)、氟化铝(alf3)、氟硼酸(hbf4)、氟化氢钠(nahf2)、氟化氢钾(khf2)、四氟硼酸铵(nh4bf4)或它们的组合。
9、所述亚硝酰化合物为六氟磷酸亚硝(nopf6)、四氟硼酸亚硝(nobf4)、亚硝基硫酸(nohso4)、亚硝酰氯化钌(iii)(ru(no)cl3)、亚硝酰氯(nocl)、四氟硼酸硝(no2bf4)、六氟磷酸硝(no2pf6)、硫酸氢硝(no2hso4)或它们的组合。
10、所述硝酸基化合物可以为硝酸(hno3)、过硝酸(hno4)或它们的组合。
11、所述硝酸可以是浓度为68重量％以上的高浓度硝酸。
12、根据一实施例，硅蚀刻液组合物对硅膜的蚀刻速度可以为5微米/分钟以上，并且相对于氧化硅膜的硅膜的蚀刻选择比可以为400以上。
13、此外，根据本专利技术的一实施例，提供一种蚀刻方法，其中，该方法为使用所述硅蚀刻液组合物，相对于氧化硅膜，选择性地蚀刻硅膜。
14、此外，根据本专利技术的一实施例，提供一种半导体器件的制造方法，其中，包括使用所述硅蚀刻液组合物进行的蚀刻工艺。
15、专利技术的效果
16、根据本专利技术的硅蚀刻组合物能够实现如下效果：即相对于氧化硅膜，对硅膜的非常优异的蚀刻选择性。因此，当使用根据本专利技术的硅蚀刻组合物时，可以仅选择性地蚀刻硅膜而不会对氧化硅膜绝缘层和与硅膜边界相邻的金属元件造成损伤。
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1.一种硅蚀刻液组合物，其中，包含：
2.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
3.根据权利要求2所述的硅蚀刻液组合物，其中，
4.根据权利要求3所述的硅蚀刻液组合物，其中，
5.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
6.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
7.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
8.根据权利要求7所述的硅蚀刻液组合物，其中，
9.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
10.根据权利要求9所述的硅蚀刻液组合物，其中，
11.一种蚀刻方法，其中，
12.一种半导体器件的制造方法，其中，
【技术特征摘要】
1.一种硅蚀刻液组合物，其中，包含：
2.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
3.根据权利要求2所述的硅蚀刻液组合物，其中，
4.根据权利要求3所述的硅蚀刻液组合物，其中，
5.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，
6.根据权利要求1所述的硅蚀刻液组合物，其中，...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴正植，金学秀，金起莹，李明镐，宋明根，
申请(专利权)人：易安爱富科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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