【技术实现步骤摘要】
本申请涉及接近式光刻，尤其涉及一种误差补偿方法、系统及全自动接近式光刻设备。
技术介绍
1、接近式光刻技术是一种用于微影制程的光刻技术，常用于制备微细结构和微米级元件。接近式光刻与传统的步进曝光光刻不同，其特点在于光刻机与感光胶层之间的距离非常小，通常在亚微米或纳米级别。接近式光刻机可以实现套刻工艺。
2、套刻（也称为多层光刻或多次曝光）是一种在同一块晶圆上使用多个掩膜层进行光刻的制程，适用于集成电路、mems（微电子机械系统）、光学元件等领域。该过程通常包括以下步骤：基础层准备： 在晶圆上先进行一些基础性的制程，例如清洁和涂覆光敏胶层。这一步确保晶圆表面准备好接受后续的多次曝光。第一次曝光：使用第一个掩膜，将光刻机的光源照射到覆盖在晶圆上的光敏胶层上。这一步根据第一个掩膜的图案在光敏胶上形成图案。对经过曝光的光敏胶进行显影，去除未曝光的部分，形成第一个图案。第一次套刻：将晶圆经过第一次曝光和显影后，再次涂覆光敏胶层。这一层新的光敏胶层将覆盖第一个图案。第二次曝光：使用第二个掩膜，再次进行曝光。第二个掩膜的图案将叠加在第一个图案之上。显影：对第二次曝光后的光敏胶进行显影，去除未曝光的部分，形成第二个图案。重复上述步骤，根据需要使用多个掩膜层进行多次曝光和显影，形成多层图案。
3、套刻过程可能会引入各种误差，这些误差可能会影响最终图案的精度和质量。其中，对准误差是套刻过程中常见的问题。每次曝光都需要将新的掩膜层准确对准到之前的图案上，如果对准不准确，会导致图案错位，最终影响器件的性能。因此，如何能够提高掩膜
技术实现思路
1、本专利技术的一个目的在于提高掩膜台和晶圆的对准精度，降低对准误差。
2、特别地，本专利技术实施例提供了一种误差补偿方法，用于接近式光刻设备，所述接近试光刻设备包括载台、掩膜台和对准装置，所述载台用于放置晶圆，所述晶圆上具有多个均匀分割的测温区域以及多个均匀分布的第二对准标记，每一所述测温区域上设有一个所述第二对准标记，所述掩膜台上设置有与所述第二对准标记一一对应的第一对准标记，所述方法包括：
3、获取所述晶圆的各个所述测温区域的温度；
4、根据各个所述测温区域的温度确定参照点；
5、计算各个所述第二对准标记与所述参照点的相对位置变化量；
6、计算各个所述第二对准标记与其他所述第二对准标记之间的间距值；
7、根据各个所述相对位置变化量以及各个所述间距值确定第二目标对准标记，所述第二目标对准标记为多个所述第二对准标记中的一个；
8、控制第一目标对准标记与所述第二目标对准标记对齐，所述第一目标对准标记为多个所述第一对准标记中与所述第二目标对准标记对应的一个。
9、可选地，获取所述晶圆的各个所述测温区域的温度的步骤包括：
10、获取每个所述测温区域内的若干个目标位置处的温度。
11、可选地，根据各个所述测温区域的温度确定参照点的步骤包括：
12、根据各个所述目标位置处的温度确定各个所述测温区域的温度分布函数；
13、根据温度分布函数确定所述参照点。
14、可选地，各个所述测温区域为根据所述晶圆上沿周向均匀分布的区域，根据温度分布函数确定所述参照点的步骤包括：
15、根据各个所述温度分布函数选取温度变化最小的位置点作为参照点。
16、可选地，所述温度分布函数为：
17、；
18、t（x,y）是位置（x,y）处的温度，t0表示所述测温区域的基础温度，a表示测温区域的变化幅度，x0和y0是测温区域的温度分布的中心位置，λ是波长参数。
19、可选地，根据各个所述相对位置变化量以及各个所述间距值确定第二目标对准标记的步骤包括：
20、比较各个所述相对位置变化量；
21、若最小的所述相对位置变化量的数量为一，选取所述相对位置变化量最小的所述第二对准标记作为所述第二目标对准标记；
22、若最小的所述相对位置变化量的数量为多个，选取所述间距值最大的所述第二对准标记作为所述第二目标对准标记。
23、可选地，根据各个所述相对位置变化量以及各个所述间距值确定第二目标对准标记的步骤包括：
24、选取所述相对位置变化量小于第一阈值的多个所述第二对准标记中所述间距值最大的所述第二对准标记作为所述第二目标对准标记。
25、可选地，控制第一目标对准标记与所述第二目标对准标记对齐的步骤包括：
26、每更换预设数量个掩膜时，控制第一目标对准标记与所述第二目标对准标记对齐。
27、特别地，本专利技术实施例还提供了一种用于实现上述任一项所述的误差补偿方法的误差补偿系统。
28、特别地，本专利技术实施例还提供了一种全自动接近式光刻设备，包括载台、掩膜台、对准装置以及上述的误差补偿系统，所述掩膜台上设置有与第二对准标记一一对应的第一对准标记，每一所述第二对准标记对应设置于晶圆上均匀分割的每一测温区域内，多个所述第二对准标记均匀分布。
29、据本专利技术的第一方面，通过对光刻机的载台上的晶圆的温度进行分区检测，然后根据各个测温区域的温度确定出参照点，再根据晶圆上各个第二对准标记与该参照点的相对位置，以及各个第二对准标记与其他第二对准标记之间的间距值确定出值得信赖的一个第二对准标记，即第二目标对准标记，再控制第一目标对准标记与第二目标对准标记对齐，尽量降低因温度变化导致的误差，即因温度变化引起晶圆变形而导致晶圆上的对准标记不准确，从而导致晶圆上所套刻的图案不准确，本方法能够使得晶圆在套刻时能够总是利用最为准确的对准标记，补偿因温度变化引起的误差，从而提高掩膜台和晶圆的对准精度，降低对准误差。
30、进一步地，根据第二对准标记的相对位置变化量和第二对准标记与其他第二对准标记之间的间距值来确定第二目标对准标记，具体以相对位置变化量最小和间距值最大为选择标准来选取第二目标对准标记，相对位置变化量最小能够保证该第二对准标记的位置的准确性，而间距值最大可以提高鲁棒性，从而保证所确定的第二目标对准标记是最准确和可靠的。
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1.一种误差补偿方法，用于接近式光刻设备，所述接近试光刻设备包括载台、掩膜台和对准装置，所述载台用于放置晶圆，所述晶圆上具有多个均匀分割的测温区域以及多个均匀分布的第二对准标记，每一所述测温区域上设有一个所述第二对准标记，所述掩膜台上设置有与所述第二对准标记一一对应的第一对准标记，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的误差补偿方法，其特征在于，获取所述晶圆的各个所述测温区域的温度的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的误差补偿方法，其特征在于，根据各个所述测温区域的温度确定参照点的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的误差补偿方法，其特征在于，所述温度分布函数为：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的误差补偿方法，其特征在于，各个所述测温区域为根据所述晶圆上沿周向均匀分布的区域，根据温度分布函数确定所述参照点的步骤包括：
6.根据权利要求5所述的误差补偿方法，其特征在于，根据各个所述相对位置变化量以及各个所述间距值确定第二目标对准标记的步骤包括：
7.根据权利要求5所述的误差补偿方法，其特征在于，根
8.根据权利要求1所述的误差补偿方法，其特征在于，控制第一目标对准标记与所述第二目标对准标记对齐的步骤包括：
9.一种用于实现权利要求1-8中任一项所述的误差补偿方法的误差补偿系统。
10.一种全自动接近式光刻设备，其特征在于，包括载台、掩膜台、对准装置以及权利要求9中所述的误差补偿系统，所述掩膜台上设置有与第二对准标记一一对应的第一对准标记，每一所述第二对准标记对应设置于晶圆上均匀分割的每一测温区域内，多个所述第二对准标记均匀分布。
...【技术特征摘要】
1.一种误差补偿方法，用于接近式光刻设备，所述接近试光刻设备包括载台、掩膜台和对准装置，所述载台用于放置晶圆，所述晶圆上具有多个均匀分割的测温区域以及多个均匀分布的第二对准标记，每一所述测温区域上设有一个所述第二对准标记，所述掩膜台上设置有与所述第二对准标记一一对应的第一对准标记，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的误差补偿方法，其特征在于，获取所述晶圆的各个所述测温区域的温度的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的误差补偿方法，其特征在于，根据各个所述测温区域的温度确定参照点的步骤包括：
4.根据权利要求3所述的误差补偿方法，其特征在于，所述温度分布函数为：
5.根据权利要求1-4中任一项所述的误差补偿方法，其特征在于，各个所述测温区域为根据所述晶圆上沿周向均匀分布的区域，根据温度分布函数确定所述参...
【专利技术属性】
技术研发人员：夏玉龙，
申请(专利权)人：苏州辰瓴光学有限公司，
类型：发明
国别省市：
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