【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种评估离子注入工艺的方法。
技术介绍
1、在半导体制造工艺中，离子注入工艺的结果及稳定性对器件性能的影响至关重要，对于一些常用半导体器件，比如硅半导体器件离子注入后的工艺指标，通常采用四探针电阻测量的方法监测性能，但宽禁带半导体器件离子注入后的工艺指标却不能通过四探针电阻测量的方法进行评判。
2、此类宽带隙材料本身与常用的电阻性测量设备之间存在金属-半导体间的肖特基势垒，当离子注入后，通过电阻测量的方法就难以对宽带隙材料器件的性能进行监测；现有工艺中的二次离子质谱仪虽然可以对离子注入后的宽带隙材料器件的性能进行监测分析，但由于二次离子质谱仪(sims)的复杂度高、成本昂贵，很难通过二次离子质谱仪对高频率的对宽禁带半导体器件的注入后工艺指标进行检测，二次离子质谱仪在芯片量产工艺控制方面并不能很好的推广使用。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述技术问题，提供一种评估离子注入工艺的方法，包括：
2、提供正片、监控陪片；
...
【技术保护点】
1.一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，所述基准片确定的步骤包括：
3.如权利要求2所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，所述元素浓度分布偏差值的预定范围为0～±15％。
4.如权利要求1所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，所述监控陪片的第一断面扫描电镜分析数据包括第一损伤深度、第一平均相对扫描信号强度其中的一种或两种，所述基准片的第二断面扫描电镜分析数据包括第二损伤深度、第二平均相对扫描信号强度其中的一种或两种；
5.如权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，所述基准片确定的步骤包括：
3.如权利要求2所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，所述元素浓度分布偏差值的预定范围为0～±15％。
4.如权利要求1所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，所述监控陪片的第一断面扫描电镜分析数据包括第一损伤深度、第一平均相对扫描信号强度其中的一种或两种，所述基准片的第二断面扫描电镜分析数据包括第二损伤深度、第二平均相对扫描信号强度其中的一种或两种；
5.如权利要求4所述的一种评估离子注入工艺的方法，其特征在于，若两种所述偏差值在±x％以内，则认定离子注入能量和剂量的结果稳定；若两种所述偏差值大于等于±x％，则认定离子注入能量和剂量的结果不稳定，其中，所述x％的数值范围为...
【专利技术属性】
技术研发人员：盛况，谭学仕，任娜，徐弘毅，
申请(专利权)人：浙江大学杭州国际科创中心，
类型：发明
国别省市：
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