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本发明涉及半导体领域，提供一种评估离子注入工艺的方法。通过与正片共同进行离子注入的监控陪片评估离子注入工艺，由监控陪片替代正片进行有损检测而无需损耗昂贵的正片，因此提高了监控评估的灵活性并显著降低了监控成本，其中，仅需对基准片进行SIMS测...
该专利属于浙江大学杭州国际科创中心所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学杭州国际科创中心授权不得商用。

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