【技术实现步骤摘要】
本公开涉及镀膜，具体而言，涉及一种电子束蒸镀装置及镀膜系统。
技术介绍
1、复合集流体生产过程中，有几种镀膜蒸发形式，其中一种是电子束蒸镀法(e-beam镀膜或电子枪镀膜)。电子束蒸镀法是利用辐照设备所射出的电子束或射线轰击待镀材料(靶材)将高能电子射束或射线束的动能转化为熔化待镀材料的热能，使待镀材料熔化。因在高真空下(4x10-6torr)金属源的熔点与沸点接近，容易使其蒸发，而产生的金属蒸气流遇到晶片时即沉积在上面。
2、在电子枪应用镀膜过程中，高能电子束撞击靶材时，会有一部分电子反射出去，产生二次电子，撞击到基片表面，随着电子枪功率增加，二次电子的数量也会随之增多，导致基片损伤或者烧穿，使基片的表面方阻增加，性能降低。
技术实现思路
1、本公开的目的在于提供一种电子束蒸镀装置及镀膜系统，能够解决相关技术中电子枪发射的电子经过靶材反射，形成二次电子撞击到基片表面的技术问题。具体方案如下：
2、根据本公开的具体实施方式，一方面，本公开提供一种电子束蒸镀装置，包括：基片台，用于放置基片；靶材容器，用于放置靶材，所述靶材容器的开口方向朝向所述基片；辅助电路，具有吸附电场，所述吸附电场位于所述基片台与靶材容器之间，用于吸附二次电子。
3、在一可选实施例中，所述辅助电路包括：电源；阳极，与所述电源的正极连接；阴极，其配置为与所述阳极形成所述吸附电场；所述阴极一端与所述电源的负极连接，另一端接地。
4、在一可选实施例中，所述阳极与所述阴极以
5、在一可选实施例中，所述辅助电路还包括：变阻器，所述变阻器设于所述阳极与所述电源之间，所述变阻器配置为改变所述吸附电场的强弱。
6、在一可选实施例中，所述电子束蒸镀装置还包括：挡板，所述挡板配置为防止靶材附着于所述阳极；所述挡板设于所述阳极靠近所述基片台的一端；和/或所述挡板设于所述阳极靠近所述靶材容器的一端。
7、在一可选实施例中，所述阳极的材质的熔点高于所述靶材的熔点。
8、在一可选实施例中，所述阳极的材质为石墨。
9、在一可选实施例中，所述基片台包括：辊轮设备，配置为传送所述基片使其经过所述靶材容器，所述基片置于所述辊轮设备的表面。
10、在一可选实施例中，所述电子束蒸镀装置还包括：辐照设备，所述辐照设备配置为加热蒸发所述靶材。
11、根据本公开的具体实施方式，另一方面，本公开提供一种镀膜系统，包括如上述技术方案中任一项所述的电子束蒸镀装置。
12、本公开实施例的上述方案与现有技术相比，至少具有以下有益效果：
13、本公开通过在基片与靶材容器设置辅助电路，通过辅助电路吸附由靶材反射产生的二次电子，从而防止二次电子对基片造成破坏。本公开的电子束蒸镀装置能够去除静电、消除基片上的二次电子，在二次电子到达基片表面前消除或者减弱，从而避免二次电子对基材的损害或者烧穿，使镀膜后的产品性能达标。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子束蒸镀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，所述辅助电路包括：
3.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，所述辅助电路还包括：
5.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，还包括：挡板，所述挡板配置为防止靶材附着于所述阳极；
6.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，
7.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，
8.根据权利要求1所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，所述基片台包括：
9.根据权利要求1-8任一项所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，还包括：
10.一种镀膜系统，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的电子束蒸镀装置。
【技术特征摘要】
1.一种电子束蒸镀装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，所述辅助电路包括：
3.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，
4.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，所述辅助电路还包括：
5.根据权利要求2所述的电子束蒸镀装置，其特征在于，还包括：挡板，所述挡板配置为防止靶材附着于所述阳极；...
【专利技术属性】
技术研发人员：李建辉，王超，汪振南，侯建洋，康远浩，孙欣森，
申请(专利权)人：安迈特科技北京有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。