【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例涉及半导体以及相关，具体地，涉及适用于一种半导体封装结构和半导体封装结构制备方法。
技术介绍
1、在现有的晶圆片级芯片规模封装(wlcsp，wafer level chip scale packaging)中，针对多管脚的芯片设计，尤其是涉及到大面积rdl(re-distributed layer，重布线层)设计的情况下，如果相邻两条rdl线路之间电压差较大，线路之间很容易被击穿，导致产生线路短路。如果使用多层rdl线路设计，对芯片本身的共面度以及翘曲度都有较大的挑战。
技术实现思路
1、本文中描述的实施例提供了一种半导体封装结构和半导体封装结构制备方法，解决现有技术存在的问题。
2、根据本公开的第一方面，提供了一种半导体封装结构，包括：衬底基板、半导体芯片、多个焊球、第一重布线层、第二重布线层，所述半导体芯片包括第一类型pad和第二类型pad；
3、所述第一重布线层和所述第二重布线层设置在所述半导体芯片相对两侧，其中，所述第一重布线层设置在所述半导体芯片远离所述衬底基板一侧，所述第二重布线层设置在所述衬底基板和所述半导体芯片之间；
4、所述第一类型pad通过所述第一重布线层与焊球电连接，所述第二类型pad通过通孔与所述第二重布线层电连接。
5、在本公开一些实施例中，所述第一重布线层包括多个第一重布线结构，接收多个外部信号的第一类型pad通过同一所述第一重布线结构与不同焊球电连接。
6、在本公开一些实施例中，
7、在本公开一些实施例中，还包括第一钝化层和第二钝化层；
8、所述第一钝化层设置在所述半导体芯片和所述第一重布线层之间，所述第一钝化层包括第一开口，所述第一开口在所述半导体芯片的垂直投影位于所述第一类型pad在所述半导体芯片的垂直投影内；
9、所述第二钝化层设置在所述第一重布线层远离所述第一钝化层一侧，所述第二钝化层包括第二开口，所述第二开口在所述半导体芯片的垂直投影与所述焊球焊接点在所述半导体芯片的垂直投影重叠。
10、在本公开一些实施例中，还包括电连接结构，所述电连接结构连接所述第一重布线层和所述焊球；
11、所述电连接结构设置于所述第二开口处。
12、在本公开一些实施例中，还包括第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述第二重布线层远离所述半导体芯片一侧。
13、在本公开一些实施例中，还包括功能层，所述功能层设置在所述衬底基板与所述第三钝化层之间。
14、在本公开一些实施例中，所述功能层的材料为树脂胶。
15、在本公开一些实施例中，所述衬底基板的材料为硅材料。
16、根据本公开的第二方面，提供了一种半导体封装结构的制备方法，用于制备形成第一方面任一项所述的一种半导体封装结构，包括：
17、在半导体芯片的第一面形成第一钝化层，并在所述第一钝化层上形成第一开口，其中，所述第一开口在所述半导体芯片的垂直投影位于所述第一类型pad在所述半导体芯片的垂直投影内；
18、在所述第一钝化层上进行金属重布线，形成第一重布线层，其中，所述第一重布线层通过所述第一开口与所述第一类型pad电连接；
19、在所述第一重布线层上形成第二钝化层，并在所述第二钝化层上形成第二开口以及在所述第二开口内形成电连接结构，其中，所述电连接与所述第一类型pad电连接；
20、基于tsv工艺在所述半导体芯片的第二面形成通孔，其中，所述通孔与所述第二类型pad电连接；
21、在所述半导体芯片的第二面进行金属重布线，形成第二重布线层，其中，所述第二重布线层通过所述通孔与所述第二类型pad电连接；
22、在所述第二重布线层远离所述半导体芯片一侧依次制备形成第三钝化层、功能层和衬底基板；
23、在所述第二开口位置处植焊球，形成单颗半导体封装结构。
24、本公开实施例提供的半导体封装结构和半导体封装结构的制备方法，首先通过对半导体芯片包括的pad进行分类得到第一类型pad和第二类型pad，然后设置半导体封装结构中的重布线层包括第一重布线层和第二重布线层，第一重布线层和第二重布线层设置在半导体芯片的相对两侧，第一重布线层设置在半导体芯片远离衬底基板一侧，第二重布线层设置在衬底基板和半导体芯片之间，第一类型pad通过第一重布线层与焊球电连接，第二类型pad通过通孔与第二重布线层电连接，一方面可以使得半导体芯片两面的应力可以达到平衡，避免半导体芯片在封装后存在的翘曲问题，另一方面可以避免因位于同一侧相邻两个重布线层之间的间距过短，位于半导体芯片同一侧相邻两个重布线层之间压差较大造成线路短路的问题。
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1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：衬底基板、半导体芯片、多个焊球、第一重布线层、第二重布线层，所述半导体芯片包括第一类型PAD和第二类型PAD；
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一重布线层包括多个第一重布线结构，接收多个外部信号的第一类型PAD通过同一所述第一重布线结构与不同焊球电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二重布线层包括多个第二重布线结构，在所述半导体内部存在电连接关系的所述第二类型PAD分别通过通孔与同一所述第二重布线结构电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第一钝化层和第二钝化层；
5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括电连接结构，所述电连接结构连接所述第一重布线层和所述焊球；
6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第三钝化层，所述第三钝化层设置在所述第二重布线层远离所述半导体芯片一侧。
7.根据权利要求6所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括功能层，所述功能层
8.根据权利要求7所述的半导体封装结构，其特征在于，所述功能层的材料为树脂胶。
9.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述衬底基板的材料为硅材料。
10.一种半导体封装结构的制备方法，用于制备形成权利要求1-9任一项所述的一种半导体封装结构，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：衬底基板、半导体芯片、多个焊球、第一重布线层、第二重布线层，所述半导体芯片包括第一类型pad和第二类型pad；
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第一重布线层包括多个第一重布线结构，接收多个外部信号的第一类型pad通过同一所述第一重布线结构与不同焊球电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述第二重布线层包括多个第二重布线结构，在所述半导体内部存在电连接关系的所述第二类型pad分别通过通孔与同一所述第二重布线结构电连接。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第一钝化层和第二钝化层；
5.根据权利要求4所述的半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：王磊，
申请(专利权)人：江阴圣邦微电子制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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