【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于芯片检测，涉及一种芯片内部漏电失效检测，尤其涉及采用emmi进行芯片内部漏电失效定位分析的方法。
技术介绍
1、集成电路在研制、生产和使用过程中失效不可避免，随着社会对产品质量和可靠性要求的不断提高，失效分析工作也显得越来越重要，通过芯片失效分析，可以帮助集成电路设计人员找到设计上的缺陷、工艺参数的不匹配或设计与操作中的不当等问题。
2、在芯片失效侦测定位的各种手段中，微光显微镜(也称为emmi)是一种效率较高的失效分析定位工具，emmi可侦测到半导体组件中电子-空穴对再结合时所发射出来的光线，侦测的波长在350nm-1100nm左右。emmi通过捕捉各种元件缺陷或异常所产生的漏电流可见光实现芯片失效点定位，目前已经广泛应用在侦测ic各种组件缺陷定位分析中。
3、因为给芯片内部漏电定位时常常需要上各种偏置电压来保证芯片的工作者状态。在这种情况下，就会出现很多和失效无关的芯片电路部分也有出现干扰亮点的情况，使得技术人员无法判断到底哪个亮点才是芯片的漏电点。
4、现有的技术方案，如中国专利申...
【技术保护点】
1.一种针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，其特征在于：步骤5还包括：
3.根据权利要求1或2所述的针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，其特征在于：
4.根据权利要3所述的针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，其特征在于，步骤1还包括：
5.根据权利要求4所述的针对芯片内部漏电失效进行EMMI定位的方法，其特征在于，步骤3还包括：
6.根据权利要3所述的针对芯片内部漏电失效进行EMMI...
【技术特征摘要】
1.一种针对芯片内部漏电失效进行emmi定位的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的针对芯片内部漏电失效进行emmi定位的方法，其特征在于：步骤5还包括：
3.根据权利要求1或2所述的针对芯片内部漏电失效进行emmi定位的方法，其特征在于：
4.根据权利要3所述的针对芯片内部漏电失效进行emmi定位的方法，其特征在于，步骤1还包括：
5.根据权利要求4所述的针对芯片内部漏电失效进行emm...
【专利技术属性】
技术研发人员：涂卓麟，
申请(专利权)人：江阴圣邦微电子制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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