【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种光催化剂，具体的，涉及一种去除氨气的光催化剂及其制备方法。
技术介绍
1、含氨废气在肥料合成和工业领域具有重要的应用价值。nh3直接排放不仅会影响生态环境造成土壤酸化和水体富营养化，而且还会严重损害人体健康。中高浓度nh3可以采用吸收法、膜分离法以及吸附法进行回收利用，以及选择性催化氧化法去除。但是如何去除低浓度含氨废气是需要解决的一大难题。
2、光催化氧化法可以有效去除低浓度含氨废气，并且其操作方便，反应条件温和，去除污染物效率高，成本低。光催化氧化去除nh3的核心在于催化剂，tio2作为一种新型功能材料，具有化学性质稳定、活性高、稳定性好、高效、价格低廉、无污染等优点受到广泛应用。但是其目前仍存在一些问题亟需解决：tio2的带隙能为3.2ev，只能吸收波长小于380nm的紫外线(仅占太阳光谱的4-5％)，对可见光的利用率较低；光催化过程中的光生电子-空穴对复合速率较快，致使其稳定性较差；在去除nh3过程中需减少nox的生成，提高n2选择性。
3、因此，开发一种新型的tio2的光催化剂，可以降低光催化剂制备成本，而且可以解决nh3排放带来的危害，具有重大意义。
技术实现思路
1、本专利技术的第一目的是提供一种去除nh3的光催化剂，该催化剂可以在室温条件下光催化氧化去除混合气体中的nh3。
2、本专利技术的另一目的是提供一种高效去除nh3的光催化剂，该催化剂可以在较长时间内保持较高的nh3去除率，还能获得较高的n2选择性，在去除
3、本专利技术的再一目的是提供一种去除nh3的光催化剂的制备方法，在该制备方法中，通过对tio2进行晶体修饰和表面包覆改性，降低其带隙能提高光利用率、提高反应稳定性等性能，以解决上述技术问题。
4、一种去除nh3的光催化剂，n元素以o-ti-n形式掺杂进tio2晶格体系中，并在表面分散包覆碳元素。
5、通过对tio2进行晶体用n元素修饰和表面包覆改性，降低其带隙能提高光利用率、提高反应稳定性等性能。
6、一种去除nh3的光催化剂的制备方法，包括：
7、n源溶液与钛源溶液混合得到第一混合液，第一混合液进行水热反应析出固体；
8、固液分离后得到第一固体物质，将第一固体物质与含碳有机物的溶液混合得到混合物，混合物经烘干、煅烧后得到去除nh3的光催化剂；
9、所述的含碳有机物包括葡萄糖、蔗糖、乙酸、柠檬酸的一种或者多种。
10、通过该方法制备的碳元素包覆型n元素掺杂的tio2催化剂，较长的时间内保持较高的nh3去除率，还能获得较高的n2选择性。
11、本申请所述的“包覆”是指，以c的存在形式分散性的负载在n掺杂tio2的表面。在n,c,ti三者元素的共同作用下起到较好的作用。
12、本申请中所指的“室温”的温度在10～35℃之间。
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1.一种去除NH3的光催化剂，N元素掺杂在TiO2中，TiO2的表面包覆碳元素。
2.根据权利要求1所述的光催化剂，其特征在于，在光催化剂中，N元素与Ti元素的摩尔比为(0.5～2)：1；
3.一种去除NH3的光催化剂的制备方法，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，水热反应的温度为120～200℃；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，水热反应的时间优选在6～12h；
6.根据权利要求3-5任一项所述的制备方法，其特征在于，N元素与Ti元素的摩尔比为(0.1～8):1；
7.根据权利要求3-6任一项所述的制备方法，其特征在于，含碳有机物与第一固体物质的质量比为(0.01～0.3):1；
8.根据权利要求3-7任一项所述的制备方法，其特征在于，煅烧的温度控在200～600℃；优选的，煅烧的温度控在300～550℃；
9.根据权利要求3-8任一项所述的制备方法，其特征在于，氮源溶液与钛源溶液混合时进行搅拌，搅拌的速率控制在350-700r/min，搅拌≥1h直至
10.一种权利要求1或2所述的去除NH3的光催化剂在催化氧化NH3转化为N2的反应体系中的应用，
...【技术特征摘要】
1.一种去除nh3的光催化剂，n元素掺杂在tio2中，tio2的表面包覆碳元素。
2.根据权利要求1所述的光催化剂，其特征在于，在光催化剂中，n元素与ti元素的摩尔比为(0.5～2)：1；
3.一种去除nh3的光催化剂的制备方法，包括：
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，水热反应的温度为120～200℃；
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，水热反应的时间优选在6～12h；
6.根据权利要求3-5任一项所述的制备方法，其特征在于，n元素与ti元素的摩尔比为(0.1～8):1...
【专利技术属性】
技术研发人员：易红宏，姜嘉颖，高凤雨，唐晓龙，周远松，张继月，
申请(专利权)人：北京科技大学，
类型：发明
国别省市：
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