【技术实现步骤摘要】
本申请属于粒子直线加速器，具体涉及一种超高频质子scdtl腔体。
技术介绍
1、超高频常温直线加速器具有尺寸小、成本低等优势，被广泛应用在医疗加速器、同位素生产等领域，其中的scdtl加速器为双周期链结构，既具有0模和π模分路阻抗高的优点，又有π/2模高稳定性的优点，在10mev～约70mev的能量范围下适合加速质子束流。
2、相比于低频腔体，超高频腔体通常需要提供较高的射频功率来产生所需要的电磁场，腔体最终的品质因子q0值越低，需要的射频功率就越多，射频功率的增加不仅会增加功率源的成本，还会增加腔体的单位热功率密度，因此超高频腔体对品质因子q0值的要求较高。
3、由于超高频腔体漂移管之间的间距较小，约几mm，因此漂移管、支撑结构和大梁一般通过多次焊接来组装成完整的超高频腔体，但多次焊接会导致超高频腔体内焊接面和焊接点位较多，进而导致焊接后焊料残留多，难以通过后处理去除焊料残留，严重影响品质因子q0值。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。
2、有鉴于此，根据本申请实施例提出了一种超高频质子scdtl腔体，包括：加速腔体和两个半腔，两个半腔设置在加速腔体的两侧；加速腔体靠近半腔的侧面上设置有定位凸台，半腔靠近加速腔体的侧面上设置有定位凹槽，定位凸台与定位凹槽咬合，且两个半腔相通过紧固件紧固连接。
3、在一种可行的实施方式中，定位凸台沿加速腔体的周向设置在加速腔体上，定位凹槽沿半腔的周向设置在
4、在一种可行的实施方式中，超高频质子scdtl腔体还包括：
5、遮挡件，遮挡件沿漂移管的周向设置在加速腔体的侧面上，遮挡件与半腔靠近加速腔体的一侧面相贴合，以使加速腔体与半腔紧密接合。
6、在一种可行的实施方式中，遮挡件为铟片。
7、在一种可行的实施方式中，加速腔体为一体件，加速腔体一体加工成型。
8、在一种可行的实施方式中，加速腔体包括：
9、外框，外框上设置有定位凸台；
10、第一漂移管，两个第一漂移管设置在外框相对的两个侧壁上，两个第一漂移管同轴设置；
11、支撑板，若干个支撑板布置在两个第一漂移管之间，支撑板与外框的内壁相连接，且支撑板与外框一体加工成型；
12、第二漂移管，第二漂移管设置在支撑板上，且第二漂移管与两个第一漂移管同轴设置。
13、在一种可行的实施方式中，支撑板等间距地布置在两个第一漂移管之间，以将外框内部的空腔分隔成若干个宽度相等的隔热腔。
14、在一种可行的实施方式中，超高频质子scdtl腔体还包括：
15、冷却流道，冷却流道沿支撑板的长度方向设置，冷却流道贯穿支撑板和外框，并在外框的外侧面上形成第一流通孔；
16、汇总流道，汇总流道垂直于冷却流道设置，汇总流道沿外框的长度方向贯穿外框，并在外框的外侧面上形成第二流通孔。
17、在一种可行的实施方式中，支撑板上设置有两个冷却流道，冷却流道沿支撑板的宽度方向对称布置在第二漂移管的两侧；外框上设置有四个汇总流道，汇总流道沿外框的长度方向对称布置在支撑板的两端。
18、在一种可行的实施方式中，汇总流道与冷却流道相连通，以在外框和支撑杆内部形成网状的冷却通道。
19、本申请的一种超高频质子scdtl腔体，与现有技术相比，有益效果为：
20、本申请实施例提供的超高频质子scdtl腔体包括了加速腔体和两个半腔，通过将外腔分为两个半腔，采用分体式结构，以便于分别进行加工，加速腔体上的定位凸台与两侧的半腔上的定位凹槽能够咬合，从而实现加速腔体与半腔的拼接定位，再通过紧固件对两个半腔进行压紧固定，以装配成完整的scdtl腔体，省去了加速腔体与外腔之间的焊接面，无残留的焊料，从而消除残留焊料对品质因子q0的影响，提升力品质因子q0值；而且，加速腔体与半腔通过定位凸台和定位凹槽先咬合定位，再把合定位的方式拼装，能够提高加速腔体与外腔拼装的准确性，有利于提高scdtl腔体整体的精度，从而有利于提高加速腔体内漂移管的同轴度精度，以提高超高频质子的加速质量，提高整个加速器工作的精度、稳定性和可靠性。
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1.一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于，所述超高频质子SCDTL腔体包括：
2.根据权利要求1所述的一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于：
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4.根据权利要求3所述的一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于，所述加速腔体包括：
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9.根据权利要求8所述的一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于：
10.根据权利要求9所述的一种超高频质子SCDTL腔体，其特征在于：
【技术特征摘要】
1.一种超高频质子scdtl腔体，其特征在于，所述超高频质子scdtl腔体包括：
2.根据权利要求1所述的一种超高频质子scdtl腔体，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的一种超高频质子scdtl腔体，其特征在于，所述超高频质子scdtl腔体还包括：
4.根据权利要求3所述的一种超高频质子scdtl腔体，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的一种超高频质子scdtl腔体，其特征在于：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：何源，王锋锋，金晓凤，黎晓晓，窦为平，王志军，张斌，黄燃，
申请(专利权)人：中国科学院近代物理研究所，
类型：发明
国别省市：
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