【技术实现步骤摘要】
实施方式涉及半导体存储器件，更具体地，涉及具有改善的电特性的半导体存储器件。
技术介绍
1、电子工业(例如，便携式电话和笔记本)中越来越需要轻、小、高速、多功能、高性能、高可靠性和低价格的电子元件。为了满足这些要求，可能需要增加半导体存储器件的集成密度。另外，可能需要提高半导体存储器件的性能。
2、可以增加电容器的电容以提高包括电容器的高度集成的半导体存储器件的可靠性。例如，随着电容器的下电极的高宽比增加，电容器的电容可以增加。因此，对形成具有高高宽比的电容器的工艺技术进行了各种研究。
技术实现思路
1、在一个方面，半导体存储器件可以包括下电极、设置在下电极的顶表面上的上支撑层、以及设置在上支撑层上并填充穿透上支撑层的第一区域和从第一区域延伸到下电极之间的第二区域的上电极。每个下电极可以包括与第一区域交叠的第一部分以及由上支撑层覆盖的第二部分。第一部分的顶表面可以通过上支撑层暴露，并且第二部分的顶表面可以与上支撑层接触。上支撑层可以设置在由每个下电极围绕的内部空间中。
2、在一个方面，半导体存储器件可以包括下电极、设置在下电极的顶表面上的上支撑层、以及设置在上支撑层上并填充穿透上支撑层的第一区域和从第一区域延伸到下电极之间的第二区域的上电极。每个下电极可以包括与第一区域交叠的第一部分以及由上支撑层覆盖的第二部分。第一部分可以不与上支撑层垂直交叠，并且第二部分可以与上支撑层垂直交叠。上支撑层可以设置在由每个下电极围绕的内部空间中。
3、在一个方面，
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1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层和所述第二上支撑层包括彼此不同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层和所述第二上支撑层分别包括SiOC、SiBN、SiCN、掺杂的SiN或Si中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层与所述第一下电极接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层围绕所述第一下电极的上部。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一下电极位于所述基板和所述第二上支撑层之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质层位于所述第一下电极上、所述上支撑层的所述上表面上以及所述上支撑层的所述下表面上。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述上支撑层下面的下支撑层，所述上电极位于所述下支撑层和所述上支撑层之间。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质层包括金属氧化物和钙钛矿电介质材料中的至少一种。<...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层和所述第二上支撑层包括彼此不同的材料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层和所述第二上支撑层分别包括sioc、sibn、sicn、掺杂的sin或si中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层与所述第一下电极接触。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层围绕所述第一下电极的上部。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一下电极位于所述基板和所述第二上支撑层之间。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质层位于所述第一下电极上、所述上支撑层的所述上表面上以及所述上支撑层的所述下表面上。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括在所述上支撑层下面的下支撑层，所述上电极位于所述下支撑层和所述上支撑层之间。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电介质层包括金属氧化物和钙钛矿电介质材料中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当在截面图中观察时，所述第一下电极具有u形。
11.一种半导体器件，包括：
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第一上支撑层和所述第二上支撑层包括彼此不同的材料。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述上支撑层的所述第二表面具有不平坦的轮廓。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，进一步包...
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