一种存储结构、存储单元、存储器以及存储系统技术方案

本技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种存储结构、存储单元、存储器以及存储系统。该存储结构包括电容单元，所述电容单元包括第一导电层、覆盖于所述第一导电层表面的电介质层，以及覆盖于所述电介质层表面的第二导电层；以及，驱动单元，所述驱动单元包括驱动板和填充物，当所述电容单元具有多个时，多个所述电容单元的所述第二导电层均与一个所述驱动板连接。本技术通过物理气相沉积的方法，在电容单元的上极板上设置驱动板，将多个单独电容的上电极连在一起，形成共用上电极，并与板线相连，实现统一驱动，而且同一存储阵列内统一驱动能够减少驱动板线的数量，有利于降低能耗。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体，特别是一种存储结构、存储单元、存储器以及存储系统。

技术介绍

1、半导体存储器是一种基于半导体材料制造的存储设备，广泛用于计算机系统、移动设备和其他电子设备中。本方案基于高稳态存储器(hsram)的工艺实现，所述高稳态存储器是在逻辑芯片基础上，使用high-k(高介电常数)材料作为电容介质，实现存储功能的一种铁电存储芯片。从芯片整体布局上看，芯片主要分为存储阵列与外围电路(数字电路&模拟电路)组成，存储阵列由多个晶体管和铁电电容存储单元组成，每个存储阵列的铁电电容均需要驱动板线。现有技术中进行存储单元与驱动板线连接，多采用多层绕线方式实现，也即一个存储阵列内每个存储单元都需要分别连接板线驱动，但实际驱动板线的作用仅是在读取和写入过程中施加一个电压，密集的板线会增加功耗，而且会造成绕线过于密集，需要增加绕线层数。另外，现有技术中为了实现存储单元与驱动线的连接，需要依次使用cvd(化学气相沉积)、cmp(化学机械研磨)工艺，工艺流程非常复杂。

技术实现思路

1、本部分的目的在于概述本技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储结构，其特征在于：包括，

2.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于：所述第一导电层(101)作为电容单元(100)的下电极，所述第二导电层(103)作为所述电容单元(100)的上电极，所述第一导电层(101)和所述第二导电层(103)均采用导电金属制成。

3.如权利要求1或2所述的存储结构，其特征在于：所述电介质层(102)作为所述电容单元(100)的电介质，采用高介电材料制成。

4.如权利要求3项所述的存储结构，其特征在于：所述第二导电层(103)的中部具有带开口的腔室(103a)，所述腔室(103a)的深宽比≥8。

5.如...

【技术特征摘要】

1.一种存储结构，其特征在于：包括，

2.如权利要求1所述的存储结构，其特征在于：所述第一导电层(101)作为电容单元(100)的下电极，所述第二导电层(103)作为所述电容单元(100)的上电极，所述第一导电层(101)和所述第二导电层(103)均采用导电金属制成。

3.如权利要求1或2所述的存储结构，其特征在于：所述电介质层(102)作为所述电容单元(100)的电介质，采用高介电材料制成。

4.如权利要求3项所述的存储结构，其特征在于：所述第二导电层(103)的中部具有带开口的腔室(103a)，所述腔室(103a)的深宽比≥8。

5.如权利要求4所述的存储结构，其特征在于：所述填充物(202)置于所述腔室(...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：温州核芯智存科技有限公司，
类型：新型
国别省市：