【技术实现步骤摘要】
本技术属于集成电路，涉及一种封装模组，尤其涉及一种车规级功率半导体模组结构及封装模组。
技术介绍
1、目前车规级功率芯片散热模组常见的技术问题主要有：模块工作温度区间太窄，为增强模组的热可靠性，锡膏通常选用铅含量≥95％的高铅锡膏，但即便是高铅锡膏，熔点一般在300℃以下，功率模块结温一般也低于150℃，应用于温度为175-200℃甚至200℃以上的情况时，其连接层性能会急剧退化，影响模块工作的可靠性；其次，锡膏含铅量≥95％，为高污染型材料，对环境不友好，高铅锡膏的导热率只有20-50w/m·k，散热效果一般，且高铅锡膏的导电性差，电阻率高达0.01-0.03mω·cm，降低了模块的转化效率(输出功率除以输入功率)；再次，模组芯片电极裸铜材质，与介电层结合力差，外力作用容易偏离焊盘。
2、对于锡膏焊接出现的技术问题，业界采用烧结银工艺，用纳米银浆替代高铅锡膏作为导电胶水连接芯片和基板，烧结银具有高导热率，低电阻率等优点，并且还是环境友好型元素。然而，绝大多数烧结银胶水普遍可以与金和银烧结，而不能与裸铜或棕化铜烧结，强行与铜...
【技术保护点】
1.一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：包括第一金属层、第二金属层、银烧结层、芯片及介电层，所述第一金属层设置有贯通孔，所述第二金属层通过所述银烧结层对所述芯片贴片固接，所述第一金属层与所述第二金属层通过所述银烧结层固接，所述贯通孔容纳所述芯片，所述贯通孔的顶部高于所述芯片；
2.如权利要求1所述一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：所述芯片顶面的栅极和源极面朝上，并设置有第一金属导电和/或导热层，所述芯片底面的漏极面朝上，并设置有第二金属导电和/或导热层；
3.如权利要求2所述一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：所述第一金属导...
【技术特征摘要】
1.一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：包括第一金属层、第二金属层、银烧结层、芯片及介电层，所述第一金属层设置有贯通孔，所述第二金属层通过所述银烧结层对所述芯片贴片固接，所述第一金属层与所述第二金属层通过所述银烧结层固接，所述贯通孔容纳所述芯片，所述贯通孔的顶部高于所述芯片；
2.如权利要求1所述一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：所述芯片顶面的栅极和源极面朝上，并设置有第一金属导电和/或导热层，所述芯片底面的漏极面朝上，并设置有第二金属导电和/或导热层；
3.如权利要求2所述一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：所述第一金属导电和/或导热层为裸铜层，所述第二金属导电和/或导热层为钛镍银合金层。
4.如权利要求1所述一种车规级功率半导体模组结构，其特征在于：所述芯片贴片固接在所述贯通孔中，所述贯通孔的顶部至少高于所述芯片0.02mm。
5.如权利要求1所述一种车规级功率半导体模...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈冬弟，黄晓锋，
申请(专利权)人：安捷利美维电子厦门有限责任公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。