一种集成大电容的芯片封装结构制造技术

本技术涉及芯片技术领域，具体为一种集成大电容的芯片封装结构，包括芯片的导线框架、位于芯片导线框架头部的第一载片区和位于导线框架头部第一载片区上的功能芯片，还包括位于导线框架中间的第二载片区以及位于第二载片区的电容，所述功能芯片与电容通过并联连接，功能芯片和电容的引线均被封装在两个不同塑封体中。本技术优点在于：本技术采用多工艺和更稳定的生产方式，将电容体积做得更小，并且更加稳定，在满足EMC的情况下，有别于普通的芯片封装，将电容做在导线框架形成的托盘上，不会受到功能芯片的载片区空间约束，也不需要外部电路添加电容，同时厚度更薄，耐压更强，安全性更高，并且能够应用于更多场景。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及芯片，具体为一种集成大电容的芯片封装结构。

技术介绍

1、为了解决emc(electro magentic compatibility)问题，芯片需要电容提供滤波作用，电容的容值大小与emc能力有着直接联系。国外芯片市场中的差分轮速传感器使用的49系列芯片采用了分离式芯片封装技术，将使用所需的多层片式陶瓷电容与功能芯片分别封装成两个塑封体，如图1所示，通过独立封装的多层片式陶瓷电容增强抗电磁干扰和辐射的能力，但是这种方法使用的电容，对于企业的生产要求高，使用工艺复杂，需要跨行业引入专门的生产线制造芯片所需的电容，提高了企业的生产成本。

2、相对的，业界出现了一种多芯片堆叠封装技术(专利公开号：cn114927507a)，如图2所示，通过贴片胶将功能芯片和半导体电容堆叠互连在一起，然后使用环氧树脂为主体的塑封材料进行包装，将两者做在同一塑封体中。这样的封装技术，存在不可忽视的缺点，叠层式封装在z轴(垂直功能芯片方向)上增加宽度，芯片厚度超过可用范围，对于客户来说无法接受，如果叠封的芯片中某一层出现故障，那么整颗芯片也就失效，产品应用安全本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成大电容的芯片封装结构，包括芯片的导线框架、位于芯片导线框架头部的第一载片区和位于导线框架头部第一载片区上的功能芯片，其特征在于还包括

2.如权利要求1所述的一种集成大电容的芯片封装结构，其特征在于还包括从载片区延伸引出的金属引脚，电容一端为GND与功能芯片的接地端GND连接，电容另一端与功能芯片的电源端VCC连接，同时GND和VCC都通过金属引脚延伸到外部。

3.如权利要求2所述的一种集成大电容的芯片封装结构，其特征在于VCC引脚与位于导线框架头部的第一载片区通过打线连接，并与位于导线框架头部的第一载片区以及功能芯片封装在同一塑封体中。

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【技术特征摘要】

1.一种集成大电容的芯片封装结构，包括芯片的导线框架、位于芯片导线框架头部的第一载片区和位于导线框架头部第一载片区上的功能芯片，其特征在于还包括

2.如权利要求1所述的一种集成大电容的芯片封装结构，其特征在于还包括从载片区延伸引出的金属引脚，电容一端为gnd与功能芯片的接地端gnd连接，电容另一端与功能芯片的电源端vcc连接，同时gnd和vcc都通过金属引脚延伸到外部。

3.如权利要求2所述的一种集成大电容的芯片封装结构，其特征在于vcc引脚与位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋海林，陈阅，管慧，许明峰，
申请(专利权)人：上海鑫雁微电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：