带隙基准电路及芯片、电子设备制造技术

一种带隙基准电路及芯片、电子设备，属于电子电路技术领域，通过从第一晶体管的集电极到第五晶体管的基极的路径构成前馈路径，由于第一晶体管、第五晶体管和第五电阻的分压作用，从运算放大器的输入和经过第一晶体管和第五晶体管到输出的前馈路径的增益小于1，故将运算放大器的等效输入噪声衰减后叠加到了输出的基准电压上，通过前馈路径使得放大器的噪声得到衰减。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于电子电路，尤其涉及一种带隙基准电路及芯片、电子设备。

技术介绍

1、相关的带隙基准电路产生稳定的电压输出，不受制造工艺、电源变化和温度变化的影响。理想情况下，最理想的基准应该表现出最小的噪声和温度引起的电压偏差。带隙基准中噪声的主要贡献者之一是运算放大器。如图1所示，相关的带隙基准电路中基准电压是从运算放大器的输入端直接引出，将运算放大器的等效输入噪声1:1直接叠加到了输出的基准电压vout上，从而导致带隙基准电路噪声较大。

2、故相关的带隙基准电路噪声较大。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种带隙基准电路及芯片、电子设备，旨在解决相关的带隙基准电路噪声较大的问题。

2、本申请实施例提供了一种带隙基准电路，包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻；

3、所述第三晶体管的集电极与供电电源连接，所述第三晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极、所述第一晶体管的基极、所述第三电阻的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻；

2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管均为NPN型三极管。

3.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第四晶体管具有相同的发射极面积A；所述第五晶体管具有发射极面积N*A；所述第三晶体管具有发射极面积M*A；其中，M、N和A均为正数。

4.如权利要求1所述的带隙...

【技术特征摘要】

1.一种带隙基准电路，其特征在于，包括运算放大器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻以及第五电阻；

2.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管均为npn型三极管。

3.如权利要求2所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第四晶体管具有相同的发射极面积a；所述第五晶体管具有发射极面积n*a；所述第三晶体管具有发射极面积m*a；其中，m、n和a均为正数。

4.如权利要求1所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管以及所述第三晶体管均为nmos；所述第四晶体管、所述第五晶体管均为npn型三极管。

5.如权利要求4所述的带隙基准电路，其特征在于，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：高红玉，苏尼尔，
申请(专利权)人：深圳精控集成半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：