基于三蝶烯的多硫鎓盐单分子树脂光刻胶及其制备方法技术

本发明专利技术提供一类式I所示基于三蝶烯的多硫鎓盐单分子树脂光刻胶及其制备方法和应用。本发明专利技术式I所示化合物以三蝶烯和苯环为基本单元，最大限度地提高了其作为主体材料的抗刻蚀性能，同时提高了其热稳定性、溶解性和成膜性，综合性能大大提高，所述主体材料的热分解温度大于250℃，其热稳定性相对于现有的三蝶烯结构显著提升，扩大了材料的应用范围，适合光刻加工工艺的要求。。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光刻材料，具体涉及一类基于三蝶烯的多硫鎓盐单分子树脂光刻胶及其制备方法和应用。

技术介绍

1、光刻胶又称为光致抗蚀剂，是一类通过光束、电子束、离子束或x射线等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是微电子工业中制作大规模和超大规模集成电路不可或缺的核心材料。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体或绝缘体表面，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩模版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是器件微细加工技术中的关键性材料。半导体工业的迅速发展对光刻技术的要求也越来越高，从早期近紫外g线436nm和i线365nm的酚醛树脂-重氮萘醌类光致抗蚀剂，到深紫外248nm和193nm光致抗蚀剂，再到极紫外13.5nm和电子束光致抗蚀剂、纳米级光刻技术要求达到的分辨率越来越高，边缘粗糙度要求也越来越小，对光刻胶材料所能达到的综合性能提出了更高的要求。开发新型具有高分辨率、高灵敏度、低边缘粗糙度的光刻胶，使其综合性能满足光刻工艺的要求，尤其是满足下一代光刻技术的要求，成为目前光刻技术的发展重要内容。

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【技术保护点】

1.式I所示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，式I化合物中具有2个、3个、4个、5个或6个硫鎓盐基团-S+RS1RS2，和/或，

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5中有1个选自硫鎓盐基团-S+RS1RS2，其他基团为H。

4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5相同或不同，各自独立地选自H或-S+RS1RS2；其中RS1、RS2相同或不同，各自独立地选自C1-6烷基、-C6-14芳基或-C1-6烷基-C6-14芳基。

5.根据权利要求4所述的化合...

【技术特征摘要】

1.式i所示的化合物：

2.根据权利要求1所述的化合物，其特征在于，式i化合物中具有2个、3个、4个、5个或6个硫鎓盐基团-s+rs1rs2，和/或，

3.根据权利要求1或2所述的化合物，其特征在于，r1、r2、r3、r4、r5中有1个选自硫鎓盐基团-s+rs1rs2，其他基团为h。

4.根据权利要求3所述的化合物，其特征在于，r1、r2、r3、r4、r5相同或不同，各自独立地选自h或-s+rs1rs2；其中rs1、rs2相同或不同，各自独立地选自c1-6烷基、-c6-14芳基或-c1-6烷基-c6-14芳基。

5.根据权利要求4所述的化合物，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李嫕，苑晓冬，陈金平，曾毅，于天君，
申请(专利权)人：中国科学院理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：