一种半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本发明专利技术提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化物掩膜层；基于所述氧化物掩膜层，对所述衬底进行第一干法刻蚀，形成沟槽；对所述衬底、所述氧化物掩模层进行湿法清洗，得到至少一粘连结构，所述粘连结构包括：相邻设置的第一鳍片和第二鳍片；位于所述第一鳍片上的氧化物保护层，所述氧化物保护层还延伸至所述第二鳍片的上表面；空隙，位于所述第一鳍片、所述第二鳍片、所述氧化物保护层、所述衬底之间；进行第二干法刻蚀去除所述氧化物保护层。该方法可改善高深宽比图案结构形成过程中发生倾斜的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体的，涉及半导体结构的制作方法及半导体结构。

技术介绍

1、随着半导体技术的发展，具有高深宽比图案结构的半导体结构得到广泛应用。在形成高深宽比图案结构的过程中，需要进行湿法清洗和干燥以去除刻蚀产生的聚合物残留，然而在湿法清洗和干燥的过程中，易导致高深宽比的图案结构发生倾斜。因此，目前的半导体结构的制作方法仍有待改进。

技术实现思路

1、本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种半导体结构的制作方法，该方法可改善高深宽比图案结构形成过程中发生倾斜的问题。

2、在本专利技术的一个方面，本专利技术提出了一种半导体结构的制作方法。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化物掩膜层；基于所述氧化物掩膜层，对所述衬底进行第一干法刻蚀，形成沟槽；对所述衬底、所述氧化物掩模层进行湿法清洗，得到至少一粘连结构，所述粘连结构包括：相邻设置的第一鳍片和第二鳍片；位于所述第一鳍片上的氧化物保护层，所述氧化物保护层还延伸至所述第二鳍片的上表本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鳍片远离所述衬底的一端向所述第一鳍片倾斜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一鳍片远离所述衬底的一端和所述第二鳍片远离所述衬底的一端分别朝向彼此倾斜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘连结构中的所述第一鳍片远离所述衬底的一端与所述粘连结构中的所述第二鳍片远离所述衬底的一端之间的距离为D2，D2≥0。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述粘连结构中的所述第一鳍片靠近所述衬底的一端与所述粘连结构中的所述第...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二鳍片远离所述衬底的一端向所述第一鳍片倾斜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一鳍片远离所述衬底的一端和所述第二鳍片远离所述衬底的一端分别朝向彼此倾斜。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粘连结构中的所述第一鳍片远离所述衬底的一端与所述粘连结构中的所述第二鳍片远离所述衬底的一端之间的距离为d2，d2≥0。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述粘连结构中的所述第一鳍片靠近所述衬底的一端与所述粘连结构中的所述第二鳍片靠...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘超，邱彩锦，李东能，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：