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本发明提出了一种半导体结构的制作方法及半导体结构。所述方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成氧化物掩膜层；基于所述氧化物掩膜层，对所述衬底进行第一干法刻蚀，形成沟槽；对所述衬底、所述氧化物掩模层进行湿法清洗，得到至少一粘连结构，所述粘连结构...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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