本技术公开了一种低噪声放大电路及其输入保护电路。该低噪声放大电路的输入保护电路包括：一级保护电路，其一端连接输入端，以去除原始输入信号中的静电干扰信号，获得第一输入信号；匹配电感，连接所述一级保护电路的另一端，以放大所述第一输入信号，获得第二输入信号；以及二级保护电路，设置于所述匹配电感和低噪声放大器之间，用以限制所述第二输入信号的幅值，获得适于输入至所述低噪声放大器中的第三输入信号。通过采用上述输入保护电路，能够对经过放大后的输入信号进行限幅保护，从而避免进入低噪声放大器的最终输入信号的电压摆幅过大，保护了低噪声放大器中输入端的场效应管。
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及通信，具体涉及了一种低噪声放大电路的输入保护电路，以及一种低噪声放大电路。
技术介绍
1、静电放电(electro-static discharge，esd)现象是在日常生活中较为常见的物理现象，但传统的esd保护电路仅在静电放电时对输入电路起到保护作用，在接收到大输入信号时对于输入电路没有进行良好的保护。尤其是对于处于无线环境的低噪声放大器，经过放大后的输入信号中的干扰信号的最大电平甚至可以高达18分贝毫瓦(decibelrelative to one milliwatt，dbm)，这会严重破坏低噪声放大器(low-noise amplifier，lna)输入端的场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor，mosfet)。
2、为了解决现有技术中存在的上述问题，本领域亟需一种低噪声放大电路的输入保护技术，能够对经过放大后的输入信号进行限幅保护，从而避免进入低噪声放大器的最终输入信号的电压摆幅过大，保护了低噪声放大器中输入端的场效应管。
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【技术保护点】
1.一种低噪声放大电路的输入保护电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的输入保护电路，其特征在于，所述二级保护电路包括第一二极管和与之反向并联的第二二极管，所述第一二极管的负极端和所述第二二极管的正极端分别连接所述匹配电感的输出端和所述低噪声放大器的输入端，所述第一二极管的正极端和所述第二二极管的负极端共同接地。
3.如权利要求2所述的输入保护电路，其特征在于，所述第二二极管所在的正向限幅电路中包括正向偏置电压。
4.如权利要求3所述的输入保护电路，其特征在于，所述第三输入信号的电压值在-0.7V～1.25V范围内。
5.如权利要求
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【技术特征摘要】
1.一种低噪声放大电路的输入保护电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的输入保护电路，其特征在于，所述二级保护电路包括第一二极管和与之反向并联的第二二极管，所述第一二极管的负极端和所述第二二极管的正极端分别连接所述匹配电感的输出端和所述低噪声放大器的输入端，所述第一二极管的正极端和所述第二二极管的负极端共同接地。
3.如权利要求2所述的输入保护电路，其特征在于，所述第二二极管所在的正向限幅电路中包括正向偏置电压。
4.如权利要求3所述的输入保护电路，其特征在于，所述第三输入信号的电压值在-0.7v～1.25v范围内。
5.如权利要求1所述的输入保...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡国盛，
申请(专利权)人：芯迈微半导体上海有限公司，
类型：新型
国别省市：
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