【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于检测领域,具体涉及一种基于金属箔的微芯片sers基底及其制备方法和应用。
技术介绍
1、随着微加工技术的不断发展和进步,微流控芯片的合成技术也更加成熟,大大推进了微流控芯片的研究和应用。微流控芯片的微型化是其最大特点,可实现将多种微结构的灵活集成,形成“片上实验室”。同时,表面增强拉曼技术在微量检测、生物分子检测等方面表现出优越的性能。拉曼光谱与分子的振动相关,因此每种分子都有其特定的拉曼光谱特征峰,常作为分子的“指纹”识别特征。若能将微流控芯片作为实验平台,结合sers作为检测手段,则有望发挥二者的优势,获得更高灵敏度、快速便捷的检测与分析手段。目前,在制备微流控sers检测芯片时,需在微通道中引入具有sers活性的基底,然而,现有沉积方法通常需要在高真空和高温条件下进行,并使用大体积、价格昂贵的设备,不适用于制备微芯片sers基底,尤其是在合成时的条件优化,需要大批量的进行芯片和芯片上材料合成的过程,复杂且繁琐,且微芯片的尺度在微米级左右,人为因素带来的误差不可忽略。因此,如何简化sers基底的合成和条件优化过程,得到
...【技术保护点】
1.一种微芯片SERS基底,其特征在于:包括金属箔、贵金属纳米粒子、微流控通道和聚合物基材;所述聚合物基材与金属箔层叠设置;所述聚合物基材和金属箔之间设有微流控通道,所述金属箔表面部分覆盖所述贵金属纳米粒子;所述贵金属纳米粒子位于微流控通道内。
2.根据权利要求1所述的微芯片SERS基底,其特征在于:所述金属箔的材料选自铜、铁、铝、锌、锡中的至少一种;和/或,所述金属箔的厚度大于0.1mm。
3.根据权利要求1所述的微芯片SERS基底,其特征在于:所述微流控通道的结构选自直通道结构、弯曲通道结构、Y字型通道结构、液滴通道结构、浓度梯度通道结构中
...【技术特征摘要】
1.一种微芯片sers基底,其特征在于:包括金属箔、贵金属纳米粒子、微流控通道和聚合物基材;所述聚合物基材与金属箔层叠设置;所述聚合物基材和金属箔之间设有微流控通道,所述金属箔表面部分覆盖所述贵金属纳米粒子;所述贵金属纳米粒子位于微流控通道内。
2.根据权利要求1所述的微芯片sers基底,其特征在于:所述金属箔的材料选自铜、铁、铝、锌、锡中的至少一种;和/或,所述金属箔的厚度大于0.1mm。
3.根据权利要求1所述的微芯片sers基底,其特征在于:所述微流控通道的结构选自直通道结构、弯曲通道结构、y字型通道结构、液滴通道结构、浓度梯度通道结构中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的微芯片sers基底,其特征在于:所述贵金属纳米粒子选自金纳米粒子、银纳米粒子中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的微芯片sers基底,其特征...
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