【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板有源层的制作方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
1、amoled(active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)凭据高画质、移动图像响应时间短、低功耗、宽视角及超轻超薄等优点，成为了未来显示技术的最好选择。目前amoled的背板技术中，制作多晶硅有源层的技术，包括准分子激光退火(ela)，固相晶化(spc)，金属诱导晶化(mic)等多种制作方法。而采用准分子激光退火(ela)工艺制备有源层是最常用的方法，但该方法制备获得的oled显示器件普遍存在mura现象，例如在大面积玻璃基板上通过ela工艺制作的ltps tft(low temperature polysilicon thin film transistor，低温多晶硅薄膜晶体管)背板，不同位置的tft常常在诸如阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性，这种非均匀性会转化为oled显示器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，即产生mura(显示不均)现象，尤其是在低灰阶画面下，竖条mura现象非常严重，因此，亟需一种可以改善mura现象的工艺。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种阵列基板有源层的制作方法、阵列基板及显示装置。
2、本申请的第一方面，提供了一种阵列基板有源层的制作方法，包括：在基板上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行一次或多次激光退火处理得到有源层，所述阵列基板的像素间距为第一长度，
3、进一步地，所述预设最小分辨长度为73μm，所述第一长度小于73μm，至少一次所述激光退火处理的所述第二长度小于或等于1μm。
4、进一步地，当所述第二长度小于或等于1μm时，该次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8khz。
5、进一步地，所述激光退火处理为准分子激光退火处理或固态激光退火处理。
6、进一步地，所述固态激光退火处理为紫外光固态激光退火处理、蓝光固态激光退火处理或绿光固态激光退火处理。
7、进一步地，所述显示面板有源层的制作方法包括：对所述非晶硅层进行两次所述激光退火处理得到所述有源层，其中，至少一次所述激光退火处理为固态激光退火处理。
8、进一步地，两次所述激光退火处理的激光扫描方向相同或相互垂直。
9、进一步地，所述第一长度小于73μm，第二次所述激光退火处理为固态激光退火处理，第二次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8khz，第二次所述激光退火处理的所述第二长度小于或等于1μm。
10、进一步地，第一次所述激光退火处理为准分子激光退火处理，第一次所述激光退火处理的最大重复频率小于或等于600hz，第一次所述激光退火处理的所述第二长度大于或等于17μm。
11、进一步地，第一次所述激光退火处理为固态激光退火处理，第一次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8khz，第一次所述激光退火处理的所述第二长度大于或等于3μm。
12、本申请的第二方面，提供了一种阵列基板，包括有源层，所述有源层采用如上第一方面所述的阵列基板有源层的制作方法获得。
13、本申请的第三方面，提供了一种显示装置，包括如上第二方面所述的阵列基板。
14、从上面所述可以看出，本申请提供了一种阵列基板有源层的制作方法、阵列基板及显示装置，所述阵列基板有源层的制作方法包括：在基板上形成非晶硅层，对非晶硅层进行一次或多次激光退火处理使非晶硅转化为多晶硅，进而得到有源层，阵列基板的像素间距为第一长度，激光退火处理的激光线束间距为第二长度，控制至少一次激光退火处理的第二长度和第一长度的最小公倍数小于预设最小分辨长度，预设最小分辨长度即人眼最小能分辨的距离，这样可以使产生的竖条mura宽度控制在该预设最小分辨长度以内，在显示产品点屏时，用户在视觉上就是连续不间断的，不会观察到mura现象，以提高用户体验，达到高画质的要求；该阵列基板有源层的制作方法、阵列基板及显示装置，工艺简单，操作方便，成本低，利用人眼视觉特性，在显示产品点屏时可以有效避免用户观察到竖条mura现象，提高了用户体验，达到了高画质的要求。
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1.一种阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行一次或多次激光退火处理得到有源层，所述阵列基板的像素间距为第一长度，所述激光退火处理的激光线束间距为第二长度，至少一次所述激光退火处理的所述第二长度和所述第一长度的最小公倍数小于预设最小分辨长度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述预设最小分辨长度为73μm，所述第一长度小于73μm，至少一次所述激光退火处理的所述第二长度小于或等于1μm。
3.根据权利要求2所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，当所述第二长度小于或等于1μm时，该次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8kHz。
4.根据权利要求1所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述激光退火处理为准分子激光退火处理或固态激光退火处理。
5.根据权利要求4所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述固态激光退火处理为紫外光固态激光退火处理、蓝光固态激光退火处理或绿光固态激光退火处理。
6.根据权利要求1所述的阵列基板有源层的
7.根据权利要求6所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，两次所述激光退火处理的激光扫描方向相同或相互垂直。
8.根据权利要求6所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述第一长度小于73μm，第二次所述激光退火处理为固态激光退火处理，第二次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8kHz，第二次所述激光退火处理的所述第二长度小于或等于1μm。
9.根据权利要求8所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，第一次所述激光退火处理为准分子激光退火处理，第一次所述激光退火处理的最大重复频率小于或等于600Hz，第一次所述激光退火处理的所述第二长度大于或等于17μm。
10.根据权利要求8所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，第一次所述激光退火处理为固态激光退火处理，第一次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8kHz，第一次所述激光退火处理的所述第二长度大于或等于3μm。
11.一种阵列基板，其特征在于，包括有源层，所述有源层采用如权利要求1-10中任意一项所述的阵列基板有源层的制作方法获得。
12.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求11所述的阵列基板。
...【技术特征摘要】
1.一种阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，包括：在基板上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行一次或多次激光退火处理得到有源层，所述阵列基板的像素间距为第一长度，所述激光退火处理的激光线束间距为第二长度，至少一次所述激光退火处理的所述第二长度和所述第一长度的最小公倍数小于预设最小分辨长度。
2.根据权利要求1所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述预设最小分辨长度为73μm，所述第一长度小于73μm，至少一次所述激光退火处理的所述第二长度小于或等于1μm。
3.根据权利要求2所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，当所述第二长度小于或等于1μm时，该次所述激光退火处理的最大重复频率大于或等于8khz。
4.根据权利要求1所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述激光退火处理为准分子激光退火处理或固态激光退火处理。
5.根据权利要求4所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，所述固态激光退火处理为紫外光固态激光退火处理、蓝光固态激光退火处理或绿光固态激光退火处理。
6.根据权利要求1所述的阵列基板有源层的制作方法，其特征在于，包括：对所述非晶硅层进行两次所述激光退火处理得到所述有源层，其中，至少一次所...
【专利技术属性】
技术研发人员：田雪雁，王海鹏，田宏伟，刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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