【技术实现步骤摘要】
本技术属于光伏制造，尤其涉及一种超薄光栅镀膜设备。
技术介绍
1、在光伏领域的晶硅制造过程中，硅片的正负电极引出一般使用丝网印技术，通过使用丝网图形部分的网孔透浆料，印刷时在丝网一端倒入浆料，用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力，浆料在移动中被刮板从图形部分的网孔中挤压到硅片上。
2、而丝网印刷技术主要缺点是：在网板的刷印过程中，涂敷厚度的控制精度很差，其精度受网板的张力、刮刀的压力、印刷台的平整度以及落尘的影响，容易出现虚印、漏印等el检测不良；且丝网印过程中会有挥发性的氯化物和硫化物会危害现场人员的健康。
技术实现思路
1、为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种超薄光栅镀膜设备可以有效提高硅片镀膜的精准度。
2、技术方案如下：
3、一种超薄光栅镀膜设备，其包括上料部、真空加热部、真空镀膜部和载片组件，载片组件包括上栅极掩膜板和下栅极掩膜板，其中：上料部设置在真空加热部的前道；真空加热部设置在真空镀膜部的前道；装载硅片的载片组件放置在上料部的进料端，并依次通过真空加热部和真空镀膜部；上栅极掩膜板贴合设置在硅片的上表面；下栅极掩膜板贴合设置在硅片的下表面。
4、通过在硅片上下两面分别设置上栅极掩膜板和下栅极掩膜板，使真空镀膜部对硅片进行镀膜印刷，从而提高膜层厚度的精准度。
5、进一步地，还包括载片框盒，载片框盒的内侧沿框设置有载片台，其中：载片台被配置为承载下栅极掩膜板；载片框盒的内侧边框与上栅极掩膜板和下栅极掩膜板外周
6、进一步地，还包括载框板，载框板设有若干嵌槽，载片框盒嵌设在嵌槽内。
7、进一步地，还包括冷却部，冷却部设置在真空加热部的后道；冷却部被配置为对载片组件内的硅片进行冷却。
8、进一步地，真空镀膜部为磁控溅射镀膜设备。
9、进一步地，磁控溅射镀膜设备包括上镀膜部和下镀膜部，其中：下镀膜部设于真空加热部的后道；上镀膜部设于下镀膜部的后道；下镀膜部被配置为对硅片的下表面进行镀膜；上镀膜部被配置为对硅片的上表面进行镀膜。
10、进一步地，真空镀膜部为蒸发镀膜设备。
11、进一步地，真空镀膜部为升华镀膜设备。
12、进一步地，真空镀膜部为ald镀膜设备。
13、进一步地，真空镀膜部为pecvd镀膜设备。
14、应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本技术。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述超薄光栅镀膜设备包括上料部、真空加热部、真空镀膜部和载片组件，所述载片组件包括上栅极掩膜板和下栅极掩膜板，其中：
2.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，还包括载片框盒，所述载片框盒的内侧沿框设置有载片台，其中：
3.根据权利要求2所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，还包括载框板，所述载框板设有若干嵌槽，所述载片框盒嵌设在所述嵌槽内。
4.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，还包括冷却部，所述冷却部设置在所述真空加热部的后道；所述冷却部被配置为对所述载片组件内的硅片进行冷却。
5.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜部为磁控溅射镀膜设备。
6.根据权利要求5所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述磁控溅射镀膜设备包括上镀膜部和下镀膜部，其中：
7.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜部为蒸发镀膜设备。
8.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜部为升华镀
9.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜部为ALD镀膜设备。
10.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述真空镀膜部为PECVD镀膜设备。
...【技术特征摘要】
1.一种超薄光栅镀膜设备，其特征在于，所述超薄光栅镀膜设备包括上料部、真空加热部、真空镀膜部和载片组件，所述载片组件包括上栅极掩膜板和下栅极掩膜板，其中：
2.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，还包括载片框盒，所述载片框盒的内侧沿框设置有载片台，其中：
3.根据权利要求2所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，还包括载框板，所述载框板设有若干嵌槽，所述载片框盒嵌设在所述嵌槽内。
4.根据权利要求1所述的超薄光栅镀膜设备，其特征在于，还包括冷却部，所述冷却部设置在所述真空加热部的后道；所述冷却部被配置为对所述载片组件内的硅片进行冷却。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：冯华，李广欣，
申请(专利权)人：无锡釜川科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。