【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及重建式光谱仪，具体涉及一种基于光电探测器阵列的光谱仪及其制造方法。
技术介绍
1、现有技术中，重建式光谱仪采用滤波器和光电探测器分离的技术路线，光电探测器不具有滤波特性，在宽谱范围内有较均匀的响应，而滤波器为独立器件，与光电探测器通过耦合的方式进行集成。在这种技术路线下，为了保证滤波器的光谱特性稳定，滤波器的数值孔径（na）通常较小，这就为前端耦合带来了巨大的损耗。而cmos成像传感器与多滤波特性薄膜结合的相关方案，其本质也是滤波器与光电探测器分离，而后通过一些特殊工艺将滤波薄膜转移到cmos成像传感器上。但是这种超表面滤波薄膜对工艺的要求极高，且转移过程工艺难度大，对像素对准要求极高。
技术实现思路
1、本专利技术旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术提供了一种基于光电探测器阵列的光谱仪，可以消除数值孔径的影响，增大受光面积，使光耦合损耗减小，同时做到工艺简单。
2、为了达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
3、一种光谱仪...
【技术保护点】
1.一种光谱仪，其特征在于，所述光谱仪包括光电探测单元阵列，所述光电探测单元阵列包括若干光电探测单元，所述光电探测单元包括光电探测器和介质膜层，所述光电探测器包括感光部分和电极，所述介质膜层覆盖于所述感光部分，所述电极裸露。
2.根据权利要求1所述的光谱仪，其特征在于，所述介质膜层包括多层透明介质，相邻的透明介质之间存在材料和/或厚度差异。
3.根据权利要求2所述的光谱仪，其特征在于，所述透明介质设有至少十层，且交替更换。
4.根据权利要求2所述的光谱仪，其特征在于，所述透明介质的材料为Si、SiO2、SiN、SiON、Ti3O5或
...【技术特征摘要】
1.一种光谱仪，其特征在于，所述光谱仪包括光电探测单元阵列，所述光电探测单元阵列包括若干光电探测单元，所述光电探测单元包括光电探测器和介质膜层，所述光电探测器包括感光部分和电极，所述介质膜层覆盖于所述感光部分，所述电极裸露。
2.根据权利要求1所述的光谱仪，其特征在于，所述介质膜层包括多层透明介质，相邻的透明介质之间存在材料和/或厚度差异。
3.根据权利要求2所述的光谱仪，其特征在于，所述透明介质设有至少十层，且交替更换。
4.根据权利要求2所述的光谱仪，其特征在于，所述透明介质的材料为si、sio2、sin、sion、ti3o5或ta2o5。
5.根据权利要求1至4所述的光谱仪，其特征在于，所述介质膜层的厚度为1μm到100μm。
【专利技术属性】
技术研发人员：林天华，严亭，
申请(专利权)人：徐州光引科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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