【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种led外延片及其制备方法。
技术介绍
1、目前，以ingan/gan多量子阱结构为有源层的gan基led器件在各领域都有广泛应用，但因缺乏合适的同质外延衬底，gan通常生长在蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底等异质衬底上。然而，由于gan外延材料与异质衬底之间存在较大的晶格失配和热失配，导致外延材料在生长过程中会受到较大的应力，且容易形成位错产生缺陷，从而降低发光二极管的光效。
2、现有技术中，为缓解gan外延材料与异质衬底之间的晶格失配和热失配，常在gan外延材料生长前，通过mocvd在异质衬底上生长aln缓冲层，这种方式虽然能阻挡部分位错缺陷的向上延伸，然而，由于mocvd生长的aln缓冲层对异质衬底存在较大的依赖性，当gan外延材料与异质衬底之间的晶格失配和热失配较大时，mocvd生长的aln缓冲层对于位错缺陷的阻挡效果有限，同时，也难以充分释放gan外延材料所受应力，导致发光二极管的光效仍然较低。
3、在另一种解决上述问题的方案中，也有通过mocvd在异质衬底上生长由aln成...
【技术保护点】
1.一种LED外延片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种LED外延片的制备方法，其特征在于，所述三维AlN过渡层、所述三维单晶AlGaN层、所述二维单晶AlGaN层及二维单晶GaN层之间的生长厚度及生长温度均呈递增趋势。
3.根据权利要求2所述的一种LED外延片的制备方法，其特征在于，所述三维AlN过渡层的生长厚度为2nm~10nm，所述三维单晶AlGaN层的生长厚度为5nm~20nm，所述二维单晶AlGaN层的生长厚度为10nm~50nm，所述二维单晶GaN层的生长厚度为20nm~200nm。
4.根据权利...
【技术特征摘要】
1.一种led外延片的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种led外延片的制备方法，其特征在于，所述三维aln过渡层、所述三维单晶algan层、所述二维单晶algan层及二维单晶gan层之间的生长厚度及生长温度均呈递增趋势。
3.根据权利要求2所述的一种led外延片的制备方法，其特征在于，所述三维aln过渡层的生长厚度为2nm~10nm，所述三维单晶algan层的生长厚度为5nm~20nm，所述二维单晶algan层的生长厚度为10nm~50nm，所述二维单晶gan层的生长厚度为20nm~200nm。
4.根据权利要求2所述的一种led外延片的制备方法，其特征在于，所述三维aln过渡层的生长温度为750℃~830℃，所述三维单晶algan层的生长温度为790℃~880℃，所述二维单晶algan层的生长温度为910℃~1120℃，所述二维单晶gan层的生长温度为960℃~1180℃。
5.根据权利要求1所述的一种led外延片的制备方法，其特征在于，还包括：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：舒俊，程龙，高虹，郑文杰，印从飞，张彩霞，刘春杨，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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