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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种LED外延片及其制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上生长复合缓冲层；所述复合缓冲层的生长步骤包括：采用PVD工艺在所述衬底上溅射多晶AlN溅射层；采用MOCVD工艺在所述多晶AlN溅射层上以...
该专利属于江西兆驰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江西兆驰半导体有限公司授权不得商用。

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