【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及机械研磨减薄,尤其是涉及一种磨轮进给装置和具有其的晶圆减薄机。
技术介绍
1、晶圆减薄机主要用于衬底硅片制备阶段表面加工,以及集成电路封装前对晶片背面多余的基体材料进行去除。随着ic制造技术的飞速发展,硅片大直径化、超薄化的发展趋势对硅片磨削的加工质量提出了更高的要求。
2、现有的晶圆减薄机只能够进行上下方向的调整移动,并不能够进行多方向的移动调整,只能够在单一方向上对晶圆进行磨削,无法有效消除晶圆在磨削过程中产生的“鱼眼”缺陷。
技术实现思路
1、本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本专利技术在于提出一种磨轮进给装置,其能够进行多方向的移动调整。
2、根据本专利技术实施例的磨轮进给装置,包括:安装支架、活动支架、磨削组件、第一驱动组件和第二驱动组件;活动支架可活动地安装在安装支架上;磨削组件包括保持架、主轴和磨轮,保持架可活动地安装在活动支架上,主轴可转动地安装装在保持架上,磨轮同轴安装在主轴的下端;第一驱动组件传动连接安装支架
...【技术保护点】
1.一种磨轮进给装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述活动支架包括:支架本体,所述支架本体上设有第一容纳空间,所述第一容纳空间的开口朝向所述磨削组件,且所述第一容纳空间沿所述主轴的轴向贯穿所述活动支架,至少部分的所述磨削组件位于所述第一容纳空间内。
3.根据权利要求2所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述安装支架上设有第二容纳空间,所述第二容纳空间的开口朝向所述活动支架,且所述第二容纳空间沿所述主轴的轴向贯穿所述安装支架,至少部分的所述活动支架位于所述第二容纳空间。
4.根据权利要求2所述的磨
...【技术特征摘要】
1.一种磨轮进给装置,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述活动支架包括:支架本体,所述支架本体上设有第一容纳空间,所述第一容纳空间的开口朝向所述磨削组件,且所述第一容纳空间沿所述主轴的轴向贯穿所述活动支架,至少部分的所述磨削组件位于所述第一容纳空间内。
3.根据权利要求2所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述安装支架上设有第二容纳空间,所述第二容纳空间的开口朝向所述活动支架,且所述第二容纳空间沿所述主轴的轴向贯穿所述安装支架,至少部分的所述活动支架位于所述第二容纳空间。
4.根据权利要求2所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述活动支架还包括与所述活动支架本体相连的第一安装板和第二安装板,所述第一安装板和所述第二安装本分别位于所述第一容纳空间的开口的两侧,所述第一安装板和所述第二安装板朝向所述安装支架的侧面均设置有沿所述主轴的轴向延伸的第一滑块,所述安装支架上设置有与所述第一滑块适配的第一导轨。
5.根据权利要求4所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述第一驱动组件包括:
6.根据权利要求5所述的磨轮进给装置,其特征在于,所述保持架包括保持架本体和与所述保持架本体相连的第三安装板、第四安装板,所述保持架本体同轴环绕在所述主轴的外周侧,所述第三安装板和所述第四安装板沿所述中心平面对称设置,以使所述第三安装板与所述第一安装板相对设置,所述第四安装板与所述第二安装板相对设置,所述第三安装板和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名,请求不公布姓名,
申请(专利权)人:江苏元夫半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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