【技术实现步骤摘要】
本申请涉及基板清洗领域,具体涉及一种基板的清洗装置及清洗方法。
技术介绍
1、基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的功能膜层。例如,薄膜晶体管液晶显示器(thin film transistor liquid crystal display,简称tft-lcd)的制造过程包括制造基板,基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的配向膜,基板尤其在贴合前,需要对基板进行清洗以去除基板表面的颗粒、氧化物和有机物。
2、现有技术中,在清洗过程中,在清洗过程中容易损伤远离衬底基板一侧的功能膜层,功能膜层残缺,基板经清洗后易出现类似水痕的条纹状mura不良,降低了产品良率。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种基板的清洗装置及清洗方法,可以提升基板传送过程中表面液膜的稳定性,降低由于清洗工艺的冲洗压力造成功能膜层损伤的可能性,提升产品良率。
2、第一方面,本申请实施例提供一种基板的清洗装置,基板包括衬底基板和位于衬底基板一侧的功能膜层,清洗装置包括:预湿单元,用于对基板进行浸泡润湿,
...【技术保护点】
1.一种基板的清洗装置,所述基板包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的功能膜层,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的基板的清洗装置,其特征在于,在所述基板进入所述预湿单元后,至少在所述预湿单元中的部分区域中,所述预湿单元底部至所述润湿液的液面之间的最小高度H1、所述预湿单元底部至所述传送装置承载面之间的最小高度H2与所述基板厚度H3满足关系为:H2+H3≤H1。
3.根据权利要求2所述的基板的清洗装置,其特征在于,在所述基板进入所述预湿单元后,H1、H2和H3满足关系为:H2+H3+3mm≤H1≤H2+H3+10mm。
4.根
...【技术特征摘要】
1.一种基板的清洗装置,所述基板包括衬底基板和位于所述衬底基板一侧的功能膜层,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的基板的清洗装置,其特征在于,在所述基板进入所述预湿单元后,至少在所述预湿单元中的部分区域中,所述预湿单元底部至所述润湿液的液面之间的最小高度h1、所述预湿单元底部至所述传送装置承载面之间的最小高度h2与所述基板厚度h3满足关系为:h2+h3≤h1。
3.根据权利要求2所述的基板的清洗装置,其特征在于,在所述基板进入所述预湿单元后,h1、h2和h3满足关系为:h2+h3+3mm≤h1≤h2+h3+10mm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基板的清洗装置,其特征在于,所述传送装置包括传送辊,所述传送装置的传送辊的中心位于同一高度。
5.根据权利要求4所述的基板的清洗装置,其特征在于,所述预湿单元包括预湿槽及与之连接的润湿液储腔,所述润湿液储腔用于向所述预湿槽充入所述润湿液,以使所述基板进入所述预湿槽时,位于所述预湿液的液面以下。
6.根据权利要求4所述的基板的清洗装置,其特征在于,所述预湿单元包括推液装置,所述推液装置与所述预湿单元的底部连接,所述推液装置包括第一升降机构及与所述第一升降机构连接的推液板,所述推液板用于在所述第一升降机构上升时将所述润湿液推至液面高于所述基板。
7.根据权利要求1-3任一项所述的基板的清洗装置,其特征在于,所述传送装置包括传送辊,在所述基板进入所述预湿单元后,所述传送装置的传送辊的中心位于不同高度。
8.根据权利要求7所述的基板的清洗装置,其特征在于,所述传送装置包括位于所述预湿单元的第一段和位于所述清洗单元的第二段,所述第一段包括第二升降机构,所述第二升降机构用于使所述第一段的传送辊中心沿垂直于传送装置传送方向的第一方...
【专利技术属性】
技术研发人员:马钰,肖印,王俊强,
申请(专利权)人:厦门天马光电子有限公司,
类型:发明
国别省市:
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