半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件技术

本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，上述方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；倒片并去除衬底，以暴露鳍状结构的下部；去除场区的第二部分，以暴露第一层间介质层；基于鳍状结构的下部，形成第二半导体结构，第二半导体结构包括第二源漏结构、第二源漏金属和第二层间介质层；第一层间介质层和第二层间介质层中形成有互连通孔结构；互连通孔结构与第一源漏金属、第二源漏金属连接。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。

技术介绍

1、在摩尔定律不断深化的当下，继续推进晶体管尺寸微缩是当前业界研发的热点问题。堆叠晶体管通过将两层或多层晶体管在垂直空间内集成，实现进一步提升晶体管集成密度，成为延续集成电路尺寸微缩的重要技术之一。

2、在采用传统的顺序(sequential)方案制备堆叠晶体管(stacked transistor)时，上下层晶体管之间的互连结构设置单一，限制信号传输的自由度。

技术实现思路

1、本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件，以提升信号传输的自由度。

2、该方法包括：提供一形成有鳍状结构的衬底；其中，鳍状结构包括在第一方向上排布的器件区和场区；第一方向与鳍状结构的延伸方向相同；去除鳍状结构中位于场区的第一部分，保留场区的第二部分；其中，第一部分相对于第二部分远离衬底；基于鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，第一半导体结构包括第一源漏结构、第一源漏金属和第一层间介质层；其中，第一源漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述互连通孔结构，包括：第一互连通孔结构和第二互连通孔结构；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层间介质层之上形成所述第二层间介质层，还包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述场区的第二部分之上形成所述第一层间介质层，包括：

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层间介质层之上形成所...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述鳍状结构的上部，形成第一半导体结构，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述互连通孔结构，包括：第一互连通孔结构和第二互连通孔结构；

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述第一层间介质层之上形成所述第二层间介质层，还包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述场区的第二部分之上形成所述第一层间介质层，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：吴恒，王润声，黎明，卢浩然，孙嘉诚，黄如，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：