一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法技术

本申请公开了一种高Tg板上芯片覆铜板及其制备方法，该覆铜板包括基板材料、玻璃纤维布和铜箔，其中基板材料包括以下质量份数的原料：复合环氧树脂100份、砜类固化剂20～25份、改性球型二氧化硅30～150份、白色染色剂4.5～24份和分散剂0.15～3份，所述复合环氧树脂包括质量比为（3～4）：（6～7）的E型环氧树脂和多官能环氧树脂；所述改性球型二氧化硅表面包含萘结构。多官能环氧树脂上含有的反应活性位点多，可以在固化过程中提高环氧树脂与固化剂之间的反应交联，提高覆铜板基板材料的玻璃化转变温度；而萘结构的化合物分子呈现平面构造，可以抑制环氧树脂分子链之间的自由活动，降低固化后基板材料的热膨胀系数。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及覆铜板领域，尤其是涉及一种高tg板上芯片覆铜板及其制备方法。

技术介绍

1、cob光源是一种将发光led芯片直接贴在高反光率的镜面金属基板上的高光效集成面光源技术，具有可靠性高、方便、电性稳定、发光均匀等特点，相较于传统led，cob光源的电路设计、光学设计以及散热设计更加科学合理，被如今的照明电子产品所青睐。

2、但是cob光源的散热相较于top产品要稍差，因此基于芯片封装的要求，cob光源所采用的基板需要具有高玻璃化转变温度、高耐热以及较低的热膨胀系数，普通的pcb基板的性能达不到cob光源的封装要求，一般cob光源在封装时选用的绝缘基板为bt基板，但是bt基板的成本又高，因此制备得到一种具有低成本、高玻璃化转变温度以及较低热膨胀系数的基板材料对于cob光源的发展尤为重要。

技术实现思路

1、为得到一种用于cob光源的高耐热、高玻璃化转变温度、较低热膨胀系数的白色覆铜板，本申请提供了一种高tg板上芯片覆铜板及其制备方法。

2、第一方面，本申请提供了一种高tg板上芯片覆铜板本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高Tg板上芯片覆铜板，包括基板材料、玻璃纤维布和铜箔，其特征在于，所述基板材料包括以下质量份数的原料：

2.根据权利要求1所述的高Tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述多官能环氧树脂包括多官能酚醛环氧树脂、缩水甘油酯类环氧树脂、缩水甘油胺类环氧树脂中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求1所述的高Tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述改性球型二氧化硅的原料包括质量比为1：（0.8～1.2）：（0.3～0.5）：（0.4～0.5）的球型二氧化硅、环氧乙烷、乙二醇和2,6-萘二羧酸。

4.根据权利要求3所述的高Tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述球型二...

【技术特征摘要】

1.一种高tg板上芯片覆铜板，包括基板材料、玻璃纤维布和铜箔，其特征在于，所述基板材料包括以下质量份数的原料：

2.根据权利要求1所述的高tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述多官能环氧树脂包括多官能酚醛环氧树脂、缩水甘油酯类环氧树脂、缩水甘油胺类环氧树脂中的一种或几种的组合。

3.根据权利要求1所述的高tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述改性球型二氧化硅的原料包括质量比为1：（0.8～1.2）：（0.3～0.5）：（0.4～0.5）的球型二氧化硅、环氧乙烷、乙二醇和2,6-萘二羧酸。

4.根据权利要求3所述的高tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述球型二氧化硅包括粒径大小为1μm、3μm、5μm、10μm和20μm的球型二氧化硅。

5.根据权利要求4所述的高tg板上芯片覆铜板，其特征在于，所述不同粒径的球型二氧化硅占总的球型二氧化硅的质量分别为：1μm球型二氧化硅占15～25%；3μm球型二氧化硅占20～30%...

【专利技术属性】
技术研发人员：严初三，叶致远，潘跃武，李强利，吴强，
申请(专利权)人：金安国纪科技杭州有限公司，
类型：发明
国别省市：