【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及一种半导体装置结构，并且更具体地，涉及一种包括静电放电(esd)保护装置的半导体装置结构。
技术介绍
1、包括直接带隙半导体的组件，例如，包括iii-v族材料或iii-v族化合物(类别：iii-v化合物)的半导体组件可以在各种条件下或在各种环境中(例如，在不同的电压和频率下)操作或工作。
2、半导体组件可以包括异质结双极晶体管(hbt)、异质结场效应晶体管(hfet)、高电子迁移率晶体管(hemt)、调制掺杂fet(modfet)等。
技术实现思路
1、根据本公开的一些实施例，一种半导体装置结构包括：衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、阻挡层、第三氮化物半导体层、第四氮化物半导体层、第一栅极结构和第二栅极结构。衬底具有第一区域和第二区域。第一氮化物半导体层设置在衬底的第一区域和第二区域上。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上并且具有比第一氮化物半导体层的带隙大的带隙。第三氮化物半导体层掺杂有杂质并且设置在第二氮化物半导体层和衬底的第一区域上。第一栅极结构设置在第三氮化物半导体层上。第四氮化物半导体层掺杂有杂质并且设置在第二氮化物半导体层和衬底的第二区域上。第二栅极结构设置在第四氮化物半导体层上。第三氮化物半导体层的第一宽度不同于第四氮化物半导体层的第二宽度。
2、根据本公开的一些实施例，一种制造半导体装置结构的方法包括：设置衬底，衬底具有第一区域和第二区域；在衬底的第一区域和第二区域上形成第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层上
3、本公开提供了一种包括被配置为保护工作装置免受esd的影响的esd保护装置的半导体装置。esd装置具有与工作装置相比相对较小的尺寸。当施加到半导体装置的电压超过预定值时，信号可以通过esd保护装置，从而防止工作装置被击穿(punch-through)。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层、所述第三氮化物半导体层和所述第一栅极结构包括在工作装置中，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层、所述第三氮化物半导体层和所述第二栅极结构包括在静电放电(ESD)保护装置中，并且其中，所述ESD保护装置电联接到所述工作装置。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述工作装置进一步包括第一端子和第二端子，并且所述第一栅极结构和所述第一端子之间的第一距离不同于所述第一栅极结构和所述第二端子之间的第二距离。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述ESD保护装置进一步包括第三端子和第四端子，所述第二栅极结构和所述第三端子之间的第三距离基本上等于所述第二栅极结构和所述第四端子之间的第四距离。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第三距离小于
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述ESD保护装置的第三端子电联接到所述工作装置的第一栅极结构。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述ESD保护装置的第四端子电联接到所述工作装置的第一端子。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一距离小于所述第二距离。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述ESD保护装置进一步包括第三端子和第四端子，所述第二栅极结构和所述第三端子之间的第三距离不同于所述第二栅极结构和所述第四端子之间的第四距离。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一栅极结构的第三宽度不同于所述第二栅极结构的第四宽度。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述ESD保护装置进一步包括第三端子和第四端子，所述第一端子和所述第二端子之间的第五距离大于所述第三端子和所述第四端子之间的第六距离。
13.一种制造半导体装置结构的方法，包括：
14.根据权利要求13所述的方法，进一步包括：
15.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，其中，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层和所述第三氮化物半导体层和所述第一栅极结构包括在工作装置中，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层、所述第三氮化物半导体层和所述第二栅极结构包括在静电放电(ESD)保护装置中，并且其中，所述ESD保护装置电联接到所述工作装置。
16.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
17.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
18.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
19.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
20.根据前述权利要求中的任一项所述的方法，进一步包括：
21.一种半导体装置结构，包括：
22.根据权利要求21所述的半导体装置结构，其中，所述工作装置包括掺杂有杂质并设置在所述第二氮化物半导体层上的第四氮化物半导体层以及位于所述第四氮化物半导体层上的第二栅极结构。
23.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第三氮化物半导体层的第一宽度小于所述第四氮化物半导体层的第二宽度。
24.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一栅极结构的第三宽度小于所述第二栅极结构的第四宽度。
25.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述ESD装置进一步包括第一端子，所述第一端子电联接到所述工作装置的第二栅极结构。
26.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，ESD装置进一步包括第二端子，所述第二端子电联接到所述工作装置的第三端子。
27.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一栅极结构和所述第一端子之间的第一距离基本上等于所述第一栅极结构和所述第二端子之间的第二距离。
28.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述工作装置进一步包括第四端子，并且所述第二栅极结构之间和所述第三端子之间的第三距离小于所述第二栅极结构和所述第四端子之间的第四距离。
...【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种半导体装置结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置结构，其中，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层、所述第三氮化物半导体层和所述第一栅极结构包括在工作装置中，所述第一氮化物半导体层、所述第二氮化物半导体层、所述第三氮化物半导体层和所述第二栅极结构包括在静电放电(esd)保护装置中，并且其中，所述esd保护装置电联接到所述工作装置。
3.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一宽度大于所述第二宽度。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述工作装置进一步包括第一端子和第二端子，并且所述第一栅极结构和所述第一端子之间的第一距离不同于所述第一栅极结构和所述第二端子之间的第二距离。
5.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述esd保护装置进一步包括第三端子和第四端子，所述第二栅极结构和所述第三端子之间的第三距离基本上等于所述第二栅极结构和所述第四端子之间的第四距离。
6.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第三距离小于所述第一距离和所述第二距离。
7.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述esd保护装置的第三端子电联接到所述工作装置的第一栅极结构。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述esd保护装置的第四端子电联接到所述工作装置的第一端子。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一距离小于所述第二距离。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述esd保护装置进一步包括第三端子和第四端子，所述第二栅极结构和所述第三端子之间的第三距离不同于所述第二栅极结构和所述第四端子之间的第四距离。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述第一栅极结构的第三宽度不同于所述第二栅极结构的第四宽度。
12.根据前述权利要求中的任一项所述的半导体装置结构，其中，所述esd保护装置进一步包括第三端子和第四端子，所述第一端子和所述第二端子之间的第五距离大于所述第三端子和所述第四端子之间的第六距离。
13.一种制造...
【专利技术属性】
技术研发人员：何义，游政昇，杜卫星，
申请(专利权)人：英诺赛科苏州半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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