温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

提供一种半导体装置结构和制造半导体装置结构的方法。半导体装置结构包括衬底、第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、第三氮化物半导体层和第四氮化物半导体层。衬底具有第一区域和第二区域。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上并且具有比第一...
该专利属于英诺赛科（苏州）半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过英诺赛科（苏州）半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。