【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及限流电路，具体为一种ldo输出电流限流电路。
技术介绍
1、现有的一种限流电路结构，能够对mos管的阈值电压有着一定的限制，当阈值电压太高或者太低时，都无法完成对输出电流进行限流；一开始使用这种限流电路结构时，发现当前的工艺nmos器件不能够实现，原因是阈值电压过高；但是国内主流的fab并不提供非常低阈值电压的nmos器件，所以大多数国内工艺平台不可以使用；因此，如何摆脱阈值电压的限制是一个亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种ldo输出电流限流电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
2、为了解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种ldo输出电流限流电路，所述限流电路包括了偏置电流支路、a1支路、a2支路、a3支路、a4支路、a5支路、a6支路和vref支路；
3、所述偏置电流支路包括：偏置电流输入端和nmos管nb1；其中，nmos管nb1的型号为nl5l；
4、所述a1支路包括：pmos管p17、nmos管n71和nmos管n70；其中，pmos管p17的型号为pl5l，nmos管n71的型号为nl5d，nmos管n70的型号为nl5l；
5、所述a2支路包括：pmos管p27、pmos管p20、pmos管p21、nmos管nm49、nmos管n109、nmos管n110和nmos管n37；其中，pmos管p27的型号为pl5l，pmos管p20的型号为pl5l，pmos管p21的
6、所述a3支路包括：输入端ib_cu_limiter、nmos管n107、nmos管n108、pmos管pm1、输入端ib_n和pmos管pm29；其中，nmos管n107的型号为nl5ul，nmos管n108的型号为nl5ul，pmos管pm1的型号为pl5li30，pmos管pm291的型号为pl5li30；
7、所述a4支路包括：输出端、电阻r190、pmos管p24、nmos管n19、nmos管n4b4、nmos管n14和mos管m18；电阻r190的型号为rhr4k，pmos管p24的型号为pl5l，nmos管n19的型号为nl5l，nmos管n4b4的型号为nl5l，nmos管n14的型号为nl5l，mos管m18的型号为nl5l；
8、所述a5支路包括：pmos管p445、电阻r14、pmos管p22、nmos管n18、nmos管n483和nmos管n101；其中，pmos管p445的型号为pl5l，电阻r14的型号为rhr4k，pmos管p22的型号为pl5l，nmos管n18的型号为nl5l，nmos管n483的型号为nl5l，nmos管n101的型号为nl5l；
9、所述a6支路包括：pmos管p443、pmos管p31、电阻r0、电阻r16和nmos管n97；其中，pmos管p443的型号为pl5l，pmos管p31的型号为pl5l，电阻r0的型号为rlp_hr4k，电阻r16的型号为rhr4k，nmos管n97的型号为nl5l；
10、偏置电流支路与a1支路通过电流镜连接，a1支路与a2支路混合连接，a2支路与a3支路混合连接，a3支路与a4支路混合连接，a3支路与a4支路混合连接，a4支路与a5支路混合连接，a5支路与a6支路混合连接，a3支路与a6支路通过线路c进行连接，a6支路与vref支路通过节点e连接。
11、所述vref支路包括：输入端ce_p3_g、pmos管pm22、pmos管pm24、pmos管p23、电阻r11、电容c206、pmos管p25、pmos管p26、电阻r5、电阻r6、nmos管n64_65、nmos管n124_125、nmos管n126_127、nmos管n66_67、nmos管n99、nmos管n98、nmos管n74、nmos管n91、nmos管nm30、输入端p4_d和输入端n_12g；其中，pmos管pm22的型号为pl5l，pmos管pm24的型号为pl5l，pmos管p23的型号为pl5l，电阻r11的型号为rhr4k，电容c206的型号为cpop132，pmos管p25的型号为pl5l，pmos管p26的型号为pl5l，电阻r5的型号为rhr4k，电阻r6的型号为rhr4k，nmos管n64_65的型号为nl5l，nmos管n124_125的型号为nl5l，nmos管n126_127的型号为nl5l，nmos管n66_67的型号为nl5l，nmos管n99的型号为nl5l，mos管n98的型号为nl5l，nmos管n74的型号为nl5l，nmos管n91的型号为nl5l，nmos管nm30的型号为nl5l。
12、进一步的，所述限流电路的连接方式包括：
13、所述偏置电流支路中，偏置电流输入端与nmos管nb1的漏极连接，nmos管nb1的衬底和源极分别与公共接地端连接，nmos管nb1的栅极与a2支路的nmos管n70连接；
14、所述a1支路中，公共输入端与pmos管p17的源极连接，pmos管p17的漏极与nmos管n71的漏极连接，pmos管p17的栅极与a2支路中的pmos管p27的漏极连接，nmos管n71的衬底与公共接地端连接，nmos管n71的源极与nmos管n70的漏极连接，nmos管n70的衬底与公共接地端连接，nmos管n70的源极与公共接地端连接；
15、所述a2支路中，公共输入端与pmos管p27的源极连接，公共输入端与pmos管p20的源极连接，pmos管p27的漏极与pmos管p20的栅极连接，pmos管p20的漏极与pmos管p21的源极连接，pmos管p21的漏极与nmos管nm49的漏极连接，pmos管p21的漏极分别与nmos管n109的栅极、nmos管n110的栅极、nmos管n37的栅极连接；nmos管n109的漏极和源极，与公共接地端连接；nmos管n110的栅极的漏极和源极，与公共接地端连接；nmos管n37的漏极和源极，与公共接地端连接；
16、所述a3支路中，输入端ib_cu_limiter与pmos管pm1的源极连接，输入端ib_cu_limiter与pmos管pm29的源极连接，pmos管pm1的漏极与输入端ib_n连接，pmos管pm1的栅极与nmos管n108的栅极连接，nmos管n108的漏极与nmos管n107的源极连接，nmos管n107的的栅极与支路a2连接；
17、所述a4支路中，输出端与电阻r190的一端连接，电阻r190的另一端与pmos管p24的源极连接，pmos管p24的漏极与nmos管n19的漏极连接，nmos管n19的衬底与公共接地端连接，nmos管n19的源极与nmos管n4b4的漏极连接，nm本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路包括了偏置电流支路、A1支路、A2支路、A3支路、A4支路、A5支路、A6支路和Vref支路；
2.根据权利要求1所述的一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路的连接方式包括：
3.根据权利要求1所述的一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路的工作流程如下：
4.根据权利要求2所述的一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述S100包括以下：
5.根据权利要求3所述的一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述S200包括以下：
6.根据权利要求4所述的一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述S300包括以下：
7.根据权利要求5所述的一种LDO输出电流限流电路，其特征在于：所述S400包括以下：
【技术特征摘要】
1.一种ldo输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路包括了偏置电流支路、a1支路、a2支路、a3支路、a4支路、a5支路、a6支路和vref支路；
2.根据权利要求1所述的一种ldo输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路的连接方式包括：
3.根据权利要求1所述的一种ldo输出电流限流电路，其特征在于：所述限流电路的工作流程如下：
4.根...
【专利技术属性】
技术研发人员：谷云子，方煌，葛雪飞，
申请(专利权)人：海速芯杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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